江苏鑫华半导体科技股份有限公司;徐州金龙湖泛半导体材料研究有限公司蒋成成获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏鑫华半导体科技股份有限公司;徐州金龙湖泛半导体材料研究有限公司申请的专利硅碳负极材料及其制备方法、负极极片和电化学装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120955126B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511487851.8，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权硅碳负极材料及其制备方法、负极极片和电化学装置是由蒋成成;廖群超;江宏富;厉凯文;赖泽统设计研发完成，并于2025-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅碳负极材料及其制备方法、负极极片和电化学装置在说明书摘要公布了：本申请涉及电池技术领域，公开了硅碳负极材料及其制备方法、负极极片和电化学装置。硅碳负极材料包括：多孔碳基体，其中，所述多孔碳基体的孔径分布曲线在0.1nm~2nm、2nm~4nm、4nm~10nm分别存在IAA峰、IBB峰、ICC峰，峰强比满足：0.2≤IAAIBB≤1.5，IccIBB≤0.5；纳米硅，所述纳米硅至少部分位于所述多孔碳基体的孔隙内；碳包覆层，所述碳包覆层包裹所述多孔碳基体的至少部分表面。硅碳负极材料具有优异的比容量和循环特性。
本发明授权硅碳负极材料及其制备方法、负极极片和电化学装置在权利要求书中公布了：1.一种硅碳负极材料，其特征在于，包括： 多孔碳基体，其中，所述多孔碳基体的孔径分布曲线在0.1nm~2nm、2nm~4nm、4nm~10nm分别存在IA峰、IB峰、IC峰，峰强比满足：0.3≤IAIB≤1.3,0.1≤IcIB≤0.4； 纳米硅，所述纳米硅至少部分位于所述多孔碳基体的孔隙内； 碳包覆层，所述碳包覆层包裹所述多孔碳基体的至少部分表面，所述多孔碳基体的孔体积Vp满足：0.45cm3g≤Vp≤0.92cm3g； 所述多孔碳基体的微孔的孔径mic满足0.1nm≤mic＜2nm，所述微孔的体积为Vmic，0.2≤VmicVp≤0.8； 所述多孔碳基体的比表面积为1100m2g~1800m2g； 所述多孔碳基体的介孔的孔径mes满足2nm≤mes＜4nm，所述介孔的体积为Vmes，0.23≤VmesVp≤0.75； 所述多孔碳基体的DV50为n，所述硅碳负极材料DV50为N，其中，3μm≤n≤15μm，3μm≤N≤15μm，N‑n≤2μm； 所述硅碳负极材料中纳米硅的质量占比为45%~55%。
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