甚磁科技(上海)有限公司武悦获国家专利权
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龙图腾网获悉甚磁科技(上海)有限公司申请的专利一种REBCO超导厚膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120888871B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511416837.9，技术领域涉及：C23C14/08；该发明授权一种REBCO超导厚膜的制备方法是由武悦设计研发完成，并于2025-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种REBCO超导厚膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种REBCO超导厚膜的制备方法，属于超导材料技术领域。本发明的REBCO超导厚膜的制备方法，包括以下步骤：使用超导层沉积方法在基带上沉积REBCO层，然后沉积辅助抛光层，接着加入清洗液进行旋转抛光，得到表面平整的REBCO层，之后在表面平整的REBCO层上重复沉积REBCO层、沉积辅助抛光层和旋转抛光的步骤，得到所述REBCO超导厚膜。采用本发明的方法可以获得超导层的厚度≥4μm，且Icc呈线性增加即Jcc不会随厚度增加而出现明显下降的REBCO超导厚膜。
本发明授权一种REBCO超导厚膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种REBCO超导厚膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 使用超导层沉积方法在基带上沉积REBCO层，然后沉积辅助抛光层，接着加入清洗液进行旋转抛光，得到表面平整的REBCO层，之后在表面平整的REBCO层上重复沉积REBCO层、沉积辅助抛光层和旋转抛光的步骤，得到所述REBCO超导厚膜； 所述REBCO超导厚膜的厚度为4‑5.8μm，其Ic随厚度线性增长； 所述辅助抛光层的厚度为2~10nm； 所述旋转抛光的转速为50~200rpm，时间为1~5min； 所述辅助抛光层呈非晶或纳米晶形态； 所述辅助抛光层的沉积温度为室温； 每次沉积REBCO层的厚度为500~1000nm； 所述辅助抛光层的材料包括CeO2或Al2O3； 所述旋转抛光具体包括：将辅助抛光层朝向抛光布，并施加0.1~5N的力进行旋转抛光至表面均方根粗糙度10nm，旋转抛光过程中使用清洗液； 所述清洗液包括乙醇、乙二醇或丙二醇； 所述抛光布选自丝绸抛光布、羊绒抛光布、真丝绒抛光布或植绒抛光布。
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