南方医科大学珠江医院田京获国家专利权
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龙图腾网获悉南方医科大学珠江医院申请的专利一种促进大段临界骨缺损修复的自压电氮化铝薄膜/空腔组件结构的制备及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120884744B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510885194.6，技术领域涉及：A61L27/30；该发明授权一种促进大段临界骨缺损修复的自压电氮化铝薄膜/空腔组件结构的制备及其应用是由田京;李国强;陆遥;厉伟;莫由天设计研发完成，并于2025-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种促进大段临界骨缺损修复的自压电氮化铝薄膜/空腔组件结构的制备及其应用在说明书摘要公布了：本发明属于生物医学材料与骨组织工程技术领域，公开了一种促进大段临界骨缺损修复的自压电氮化铝薄膜空腔组件结构的制备及其应用。该薄膜基于AlN的压电特性，通过优化空腔结构，实现了在生理振动环境下的自发电能力，显著提高了AlN的表面电流密度。本发明的薄膜能够在无极化处理、无外部物理刺激的情况下，持续提供稳定的生物电信号，从而促进成骨细胞的粘附、增殖及分化。体内实验表明，该薄膜空腔组件结构可在无支架条件下有效修复兔股骨临界骨缺损，优于现有压电材料。本发明突破了传统压电骨修复材料依赖外部刺激及支架的局限性，为骨组织修复提供了一种具有高临床转化潜力的创新性策略。
本发明授权一种促进大段临界骨缺损修复的自压电氮化铝薄膜/空腔组件结构的制备及其应用在权利要求书中公布了：1.一种促进大段临界骨缺损修复的自压电氮化铝薄膜空腔组件结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、采用光刻工艺在硅基底上蚀刻形成3 mm*10 mm*2.5 μm的浅腔结构； S2、继续采用磁控溅射技术，沉积1.0 μm厚的氮化铝压电层； S3、采用湿法刻蚀技术在Si基底内形成腔体结构，结合硅衬底减薄工艺，以增强薄膜的压电性能，最终得到自压电AlN薄膜； S4、将制备好的薄膜用PDMS贴附于钛合金空腔组件表面，待PDMS凝固后形成自压电AlN薄膜空腔组件结构。
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