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龙图腾网获悉宁波大学申请的专利基于Fano共振的硫系微环谐振腔结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120847948B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511361028.2，技术领域涉及：G02B6/293；该发明授权基于Fano共振的硫系微环谐振腔结构是由郭兆清;张巍;俞青林;詹澳金;张培晴;王国祥设计研发完成，并于2025-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于Fano共振的硫系微环谐振腔结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于Fano共振的硫系微环谐振腔结构，包括：衬底层；设置于衬底层上的硫系材料波导层，硫系材料波导层包括条形波导和环状波导，条形波导与环状波导相切且间隔设置，条形波导和环状波导之间的最短距离为第一间隙；条形波导相对于环状波导的两侧对称设置有第一光栅和第二光栅，进而在第一光栅和第二光栅之间形成FP腔，使得条形波导内的离散光与环状波导内的连续光叠加以产生Fano共振。本发明通过直条型波导的两个光栅之间形成的FP腔的离散谐振模式与微环的连续传输模式相互叠加干涉以产生Fano共振，使得光学传感器的关键性能指标优于传统微环谐振器，降低损耗、提高品质因数和灵敏度、消光比等光学性能。

本发明授权基于Fano共振的硫系微环谐振腔结构在权利要求书中公布了：1.一种基于Fano共振的硫系微环谐振腔结构，其特征在于，包括： 衬底层； 设置于所述衬底层上的硫系材料波导层，所述硫系材料波导层包括条形波导和环状波导，所述条形波导与所述环状波导相切且间隔设置，所述条形波导和所述环状波导之间的最短距离为第一间隙； 所述条形波导相对于环状波导的两侧对称设置有第一光栅和第二光栅，进而在所述第一光栅和第二光栅之间形成FP腔，使得所述条形波导内的离散光与所述环状波导内的连续光叠加以产生Fano共振； 所述第一光栅和所述第二光栅的周期均为385nm‑395nm，所述第一光栅和所述第二光栅的占空比均为30％‑50％，所述第一光栅和所述第二光栅的光栅数为195个‑205个； 所述条形波导的第一光栅与第二光栅之间的直波导区域构成所述FP腔的腔长，所述FP腔的腔长为4.9μm‑5.1μm； 所述第一间隙为195nm‑210nm； 所述环状波导的外径为18μm‑24μm； 所述衬底层为SiO2，所述衬底层的厚度为2μm‑4μm； 所述硫系材料波导层为Ge28Sb12Se60薄膜材料，所述硫系材料波导层的高度为290nm‑310nm，宽度为590nm‑610nm。

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