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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种用于宽频段多阶EMI滤波器的考虑频变参数影响的电路拓扑与频变电感的选型设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120781773B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510851526.9，技术领域涉及：G06F30/373；该发明授权一种用于宽频段多阶EMI滤波器的考虑频变参数影响的电路拓扑与频变电感的选型设计方法是由裴雪军;樊洪铭;姜润泉;周鹏设计研发完成，并于2025-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于宽频段多阶EMI滤波器的考虑频变参数影响的电路拓扑与频变电感的选型设计方法在说明书摘要公布了：本发明属于电磁兼容设计技术领域，其公开了一种用于宽频段多阶EMI滤波器的考虑频变参数影响的电路拓扑与频变电感的选型设计方法。本发明同时考虑了实际源阻抗、负载阻抗以及滤波支路阻抗随频率变化带来的EMI滤波器高频插入损耗变形失效的问题，给出了能够快速简洁地生成各类EMI滤波拓扑结构的插入损耗的方法，从而精确且快速地计算出不同滤波拓扑下在超标频点上的目标电感量频谱；再根据高宽频衰减速率的频变电感相对磁导率谱计算出所需的最大设计系数，指导滤波器电感的空间结构和匝数设计，并通过对比相同阶数不同拓扑结构下的最大设计系数评估出最优滤波拓扑，从而提高了EMI滤波器的拓扑选择和电感设计的准确性，最终降低了EMI滤波器的开发成本。

本发明授权一种用于宽频段多阶EMI滤波器的考虑频变参数影响的电路拓扑与频变电感的选型设计方法在权利要求书中公布了：1.一种用于宽频段多阶EMI滤波器的考虑频变参数影响的电路拓扑与频变电感的选型设计方法，其中EMI滤波器的电路拓扑按照电容和电感的位置关系分为A和B两类，其特征在于，包括以下步骤： 按照待设计的EMI滤波器的阶数，选择对应的插入损耗计算模型； 将实测的干扰频谱在预设裕量下与标准限值谱做差得到差值谱，所述差值谱中大于零的频点的插入损耗值保留，小于等于零的频点的插入损耗值置空，形成目标插入损耗频谱； 从所述目标插入损耗频谱的第一个频点开始遍历，通过设置电感感量步进，从电感感量的查找上限开始向下搜索，基于所述插入损耗计算模型查找出每一个超标频点所需的最小电感感量，形成最小感量谱； 将两种拓扑类型EMI滤波器的最小感量谱分别与在预设衰减裕度下的待设计电感所用磁性材料的相对磁导率频谱相除得到电感设计系数谱，从中筛选出两种拓扑类型下的最大设计系数，再从两个最大设计系数中比较出较小值，作为目标设计系数，此目标设计系数对应的拓扑类型即为目标拓扑，再根据目标设计系数进行待设计电感的结构尺寸选型和绕线匝数设计。

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