中国科学院上海光学精密机械研究所何佳晶获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海光学精密机械研究所申请的专利一种硅基发光材料的制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120692973B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510378953.X，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种硅基发光材料的制备方法及应用是由何佳晶;李晓博;王俊设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅基发光材料的制备方法及应用在说明书摘要公布了：本申请涉及一种硅基发光材料的制备方法及应用，其中，制备方法包括：步骤a，将硅片固定在激光加工平台上；步骤b，对所述硅片进行脉冲激光退火处理，其中，所述脉冲激光的脉冲宽度小于10‑9‑9s，脉冲激光波长为343～1100nm，脉冲的重复频率为1Hz～10GHz。实现了硅在600～20000nm波段的室温发光，实现了硅带隙外的发光，极大的扩展了硅的发光波长。整个工艺流程完全兼容CMOS工艺，流程简单，具备重要的工业应用价值。
本发明授权一种硅基发光材料的制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种硅基发光材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤a，将硅片固定在激光加工平台上； 步骤b，对所述硅片进行脉冲激光退火处理，其中，所述脉冲激光的脉冲宽度小于10‑9s，脉冲激光波长为343～1100nm，脉冲的重复频率为1Hz～10GHz。
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