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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种电容增强的环行隔离器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120637834B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510776907.5，技术领域涉及：H01P1/36；该发明授权一种电容增强的环行隔离器结构是由郭子宸;王志宇;郭西;徐安南;周山富;莫炯炯;郁发新设计研发完成，并于2025-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电容增强的环行隔离器结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种电容增强的环行隔离器结构，通过形成地金属凸台结构实现了共地电连接，显著减小了接地金属与多路加抗结构的间距，显著提升多路加抗结构的对地电容，且同时通过电容‑电感协同调谐实现带宽拓展；在三个射频端口采用2阶LC匹配网络，匹配电容的开槽部分可使得匹配电感和匹配电容进行一定程度的空间共用，从而有效减少匹配网络的尺寸，吸收端口采用1阶LC匹配网络，在仅增加单个电阻的条件下实现吸收端口的阻抗匹配，在实现良好吸收效果的同时还能减小匹配网络尺寸，有助于减小非互易中心结结构的尺寸；此外，第一非互易中心结结构与第二非互易中心结结构采用L‑C‑L型匹配网络进行共轭匹配，从而实现良好的隔离性能。

本发明授权一种电容增强的环行隔离器结构在权利要求书中公布了：1.一种电容增强的环行隔离器结构，其特征在于，所述环行隔离器结构自下而上依次包括： 可伐金属层以及设于所述可伐金属层上的第一导电层； 第一硅基板，所述第一硅基板的正面设有第一金属层，所述第一硅基板的背面设有第二金属层，所述第二金属层与所述第一导电层之间形成电连接，且所述第一硅基板的背面形成有地金属凸台结构，所述地金属凸台包括空腔以及设于所述空腔内侧的第三金属层； 第一通孔，所述第一通孔设于所述地金属凸台的一侧的所述第一硅基板中，且所述第一通孔的两端分别连接所述第一金属层和所述第二金属层； 电阻层，所述电阻层位于所述第一硅基板的正面且所述电阻层与所述第一通孔位于所述地金属凸台的同一侧； 第二通孔，所述第二通孔与所述地金属凸台同轴设置，用于容纳铁氧体基片，所述铁氧体基片的一端与所述可伐金属层接触设置； 第二硅基板，所述第二硅基板的背面设有第四金属层，所述第四金属层与所述第二金属层之间键合互联，所述第四金属层还与所述铁氧体基片的另一端接触设置，所述第二硅基板的背面形成有级联的第一环行器和第二环行器； 永磁体，所述永磁体设在所述第二硅基板的正面且所述永磁体与所述第二硅基板之间设有绝缘垫片。

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