华南理工大学;珠海东莱科技有限公司;横琴东辉科技有限公司赵齐来获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学;珠海东莱科技有限公司;横琴东辉科技有限公司申请的专利一种DFB单偏振单频光纤激光器的相移光栅刻写方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120294904B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510393501.9,技术领域涉及:G02B6/02;该发明授权一种DFB单偏振单频光纤激光器的相移光栅刻写方法是由赵齐来;徐善辉;刘宇;孙宇鑫;杨中民设计研发完成,并于2025-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种DFB单偏振单频光纤激光器的相移光栅刻写方法在说明书摘要公布了:一种DFB单偏振单频光纤激光器的相移光栅刻写方法,包括如下步骤:步骤a:增益光纤载氢处理;步骤b:增益光纤在两端熔接上无源光纤构成刻写光纤;步骤c:调节振幅模板及相位掩膜板的相对位置使其中间对齐,调节刻写光纤位于柱透镜的焦距附近;步骤d:设置好紫外激光器的重复频率以及输出功率;步骤e:将刻写光纤绷直并夹持在光纤夹持平台上,将刻写光纤与ASE光源、光谱仪相连,监测光栅透射光谱;步骤f:打开紫外激光器,观察光谱仪,达到合适的光栅参数时完成刻写。本发明提供了一种简单直接、稳定可靠且重复度高的DFB单偏振单频光纤激光器的相移光栅刻写方法,为非线性频率转换、引力波探测和相干偏振光束组合等领域提供了优质光源。
本发明授权一种DFB单偏振单频光纤激光器的相移光栅刻写方法在权利要求书中公布了:1.一种DFB单偏振单频光纤激光器的相移光栅刻写方法,其特征在于:包括如下步骤: 步骤a:增益光纤载氢处理; 步骤b:将载氢后的增益光纤裁出合适的长度后将其涂覆层剥除,并在其两端熔接上无源光纤构成刻写光纤9; 步骤c:调节紫外激光器1、圆形光阑2、反射镜3的中心位于同一水平线上,调整反射镜3、矩形光阑4、扩束镜5、柱透镜7的中心位于同一竖直线上,从而保证紫外光斑能依次垂直入射扩束镜5、柱透镜7、相位掩膜板8及刻写光纤9,调节振幅模板6及相位掩膜板8的相对位置使其中间对齐,所述的振幅模板6透光部分为超高斯切值函数,其能控制栅区折射率调制深度以使一个偏振方向无法起振而正交的偏振方向起振来实现单偏振单频光纤激光器,调节刻写光纤9位于柱透镜7的焦距附近; 步骤d:设置好紫外激光器1的重复频率以及输出功率; 步骤e:将刻写光纤9绷直并夹持在光纤夹持平台10上,接下来将刻写光纤9的增益光纤部分移动到相位掩膜板8的干涉区域,同时观察显微镜11的图像将刻写光纤9及相位掩膜板8的距离控制在光纤包层直径的一半内,最后将刻写光纤9与ASE光源12、光谱仪13相连,监测光栅透射光谱; 步骤f:打开紫外激光器1,微调光纤夹持平台10使刻写光纤9位于柱透镜7的焦距处,观察光谱仪13,达到合适的光栅参数时关闭紫外激光器1并将刻写光纤9取下完成刻写,最后进行退火处理。
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