荣芯半导体(宁波)有限公司冯登堂获国家专利权
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龙图腾网获悉荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利一种激光熔丝结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120221536B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510695539.1，技术领域涉及：H10W20/49；该发明授权一种激光熔丝结构及其制造方法是由冯登堂;武乐乐;陈晨;刘灿春;郝名天设计研发完成，并于2025-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种激光熔丝结构及其制造方法在说明书摘要公布了：一种激光熔丝结构及其制造方法，该方法包括：提供衬底；在衬底上形成熔丝金属层，熔丝金属层包括引线部和熔断部；形成覆盖熔丝金属层的第一介电层；在第一介电层上形成刻蚀停止层，刻蚀停止层位于熔断部上方；在第一介电层和刻蚀停止层上形成第二介电层；形成导电柱和顶部金属层；形成覆盖顶部金属层的第三介电层；对第三介电层执行第一刻蚀工艺，以形成露出刻蚀停止层的开口，开口的底部的宽度大于刻蚀停止层的宽度；对开口的底部露出的介电层执行第二刻蚀工艺，以使得开口的底部中间凸起；去除刻蚀停止层。该激光熔丝结构具有更高的熔断成功率和更高的良率。
本发明授权一种激光熔丝结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种激光熔丝结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成熔丝金属层，所述熔丝金属层包括引线部和熔断部； 形成覆盖所述熔丝金属层的第一介电层； 在所述第一介电层上形成刻蚀停止层，所述刻蚀停止层位于所述熔断部上方； 形成贯穿所述第一介电层的导电柱，所述导电柱与所述引线部电连接； 形成与所述导电柱电连接的顶部金属层； 形成覆盖所述顶部金属层的第二介电层； 对所述第二介电层执行第一刻蚀工艺，以形成露出所述刻蚀停止层的开口，所述开口的底部的宽度大于所述刻蚀停止层的宽度，以露出位于所述刻蚀停止层周围的所述第一介电层； 对所述开口的底部露出的所述第一介电层执行第二刻蚀工艺，以使得所述开口的底部中间向上凸起； 去除所述刻蚀停止层； 对所述开口的底部进行圆化处理。
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