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龙图腾网获悉苏州清橙半导体科技有限公司;苏州清煜半导体科技有限公司申请的专利一种光学元件用高纯半绝缘碳化硅单晶及其生长工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120138790B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510623433.0，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种光学元件用高纯半绝缘碳化硅单晶及其生长工艺是由陈鹏飞;杨倩倩;李嘉琪设计研发完成，并于2025-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光学元件用高纯半绝缘碳化硅单晶及其生长工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅单晶生长技术领域，具体涉及一种光学元件用高纯半绝缘碳化硅单晶及其生长工艺，包括：S1、将碳化硅粉料、石墨坩埚等进行装配操作，组成热场装置，并放置于感应炉中，先依次进行室温洗炉处理、低温洗炉处理，再进行热场除杂处理；S2、将碳化硅籽晶与经过除杂后的热场装置进行装配处理，之后，将感应炉内的温度升高并向感应炉内输送高纯氩气或高纯氩气与高纯氢气的混合气体，进行晶体生长；S3、待晶体生长结束后，先进行高温高压退火处理，再进行随炉冷却处理，得到光学元件用高纯半绝缘碳化硅晶锭。通过选用特定的原料、合理设计装配方式并结合热场除杂、高温高压退火等工艺，得到透光性能优异、电阻率高的碳化硅晶锭。

本发明授权一种光学元件用高纯半绝缘碳化硅单晶及其生长工艺在权利要求书中公布了：1.一种光学元件用高纯半绝缘碳化硅单晶的生长工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1、将碳化硅粉料、石墨坩埚、石墨软毡、辅件和或原辅料进行装配操作，组成热场装置，并将其放置于感应炉中，之后，先依次进行室温洗炉处理、低温洗炉处理，再进行热场除杂处理；所述碳化硅粉料包括均采用CVD法合成的粒径为1～2mm的第一碳化硅粉料、粒径为0.01～0.1mm的第二碳化硅粉料；所述第二碳化硅粉料装配在所述第一碳化硅粉料的上方； 所述碳化硅粉料的纯度不低于99.9999%；所述碳化硅粉料中含有Cl元素，且所述碳化硅粉料中的N含量不超过1×1015atomscm3，Al含量不超过1×1015atomscm3； S2、将碳化硅籽晶与经过除杂后的热场装置进行装配处理，之后，将感应炉内的温度升高，并向感应炉内输送高纯氩气或高纯氩气与高纯氢气的混合气体，进行晶体生长； 所述热场除杂处理是在温度为2000～2250℃、压力为1～3mbar条件下保持1‑10h； S3、待晶体生长结束后，先进行高温高压退火处理，再进行随炉冷却处理，得到光学元件用高纯半绝缘碳化硅晶锭； 所述高温高压退火处理是先将感应炉内的压力调节至320‑380mbar，温度降低至1800~1900℃之后，恒温恒压保持若干小时。

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