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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种长棒状KDP类晶体的蒸发法定向生长装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120099641B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510360674.0，技术领域涉及：C30B29/22；该发明授权一种长棒状KDP类晶体的蒸发法定向生长装置及方法是由房常峰;吕杰钊;孙鹏;房德霄;王丽丽;邓鲁;赵显设计研发完成，并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种长棒状KDP类晶体的蒸发法定向生长装置及方法在说明书摘要公布了：本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种长棒状KDP类晶体的蒸发法定向生长装置及方法。内置生长溶液的蒸发育晶器固定立于水浴加热保温装置中，溶剂蒸发池通过晶体生长槽安装于晶种固定座上，晶体生长槽内留有连通着晶种固定座与溶剂蒸发池的流体通道，该流体通道为长棒状空腔，两套温度控制子系统的加热保温端位于蒸发育晶器的外侧且安装高度不同。本申请提供了获取长棒状定向KDP晶体的新思路，采用自行设计的蒸发育晶器，基于溶剂蒸发法进行晶体的定向生长，原料利用率高，生长速度快，并能够有效的增加溶液的稳定性，减少生长失败的可能性；同时可避免机械切割，降低了晶体的损坏几率。

本发明授权一种长棒状KDP类晶体的蒸发法定向生长装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种长棒状KDP类晶体的蒸发法定向生长方法，其特征在于，步骤如下： S1、准备阶段，先将点仔晶置于蒸发育晶器底部的晶种固定槽内，再将组装密封后的蒸发育晶器固定立于水浴加热保温装置中，启动水浴加热保温装置，进行预热； S2、生长阶段，向溶剂蒸发池注入生长溶液，分别设置两套温度控制子系统的加热保温温度，位于晶体生长槽外侧的温度控制子系统的加热保温温度为高于晶体材料的饱和溶液对应的温度1‑2℃，另一温度控制子系统的加热保温温度高于位于晶体生长槽外侧的温度控制子系统的加热保温温度6℃以上，并调整蒸发速度控制盖的开度使得生长溶液的过饱和度的补充和消耗速率相一致； S3、完成阶段，晶体生长到预期尺寸后，设定两套温度控制子系统缓慢降温至环境温度，取出沿特定方向生长的长棒状KDP晶体； 所述蒸发法定向生长方法采用的蒸发法定向生长装置包括：蒸发育晶器和水浴加热保温装置，内置生长溶液的所述蒸发育晶器固定立于所述水浴加热保温装置中； 所述蒸发育晶器底部为晶种固定座，上端设有溶剂蒸发池，所述溶剂蒸发池通过晶体生长槽安装于所述晶种固定座上，所述晶体生长槽内留有连通着所述晶种固定座与所述溶剂蒸发池的流体通道，该流体通道为长棒状空腔；所述长棒状空腔沿竖直方向设置；呈漏斗型的所述溶剂蒸发池上端开口并安装有蒸发速度控制盖，所述溶剂蒸发池上端还盖有微孔半透膜，所述蒸发速度控制盖位于所述微孔半透膜的上方； 所述水浴加热保温装置包括：两套温度控制子系统，所述温度控制子系统的加热保温端位于所述蒸发育晶器的外侧且安装高度不同； 温度控制子系统包括：环形加热器； 其一温度控制子系统的加热保温端置于所述溶剂蒸发池的外侧；另一温度控制子系统的加热保温端置于所述晶体生长槽的外侧，且该环形加热器沿所述晶体生长槽上下移动； 在生长阶段，还包括：根据晶体高度调整位于所述晶体生长槽外侧的温度控制子系统的加热器的高度，使其位于晶体上方10‑15cm处。

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