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龙图腾网获悉长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利半导体功率器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120018554B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510175910.1，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权半导体功率器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆是由邓辉设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体功率器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体功率器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆，半导体功率器件包括半导体本体；沟槽栅结构；位于半导体本体的第一区表面的栅极沟槽中；半导体本体包括第一接触区和体区；第一接触区包括第一子接触区和第二子接触区，分别从第一表面延伸至半导体本体中，第一子接触区沿栅极沟槽侧壁设置，并与沟槽栅结构接触；第二子接触区位于第一子接触区远离沟槽栅结构的一侧；沿第一表面到第二表面的方向，第一子接触区的长度大于等于体区的厚度；接触金属层，位于半导体本体的第二区表面，与半导体本体的第二区表面形成肖特基接触。本发明提供的技术方案，简化了半导体功率器件的制备难度，降低了器件在反向续流状态下的能量损耗。

本发明授权半导体功率器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体本体；所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面包括第一区表面和第二区表面，所述第一区表面设置有栅极沟槽； 沟槽栅结构；所述沟槽栅结构位于所述栅极沟槽中； 半导体本体包括第一接触区和体区；所述第一接触区包括第一子接触区和第二子接触区，所述第一子接触区和所述第二子接触区分别从所述第一表面延伸至所述半导体本体中，所述第一子接触区沿所述栅极沟槽侧壁设置，并与所述沟槽栅结构接触；所述第二子接触区与所述第一子接触区接触，并位于所述第一子接触区远离所述沟槽栅结构的一侧； 所述体区位于所述第一子接触区远离沟槽栅结构的一侧，以及所述第二子接触区靠近所述第二表面的一侧；沿所述第一表面到第二表面的方向，所述第一子接触区的长度大于等于所述体区的厚度； 第一电极，位于所述半导体本体第一区表面，并与所述第二子接触区接触； 接触金属层，位于所述半导体本体的第二区表面，所述接触金属层与所述半导体本体的第二区表面形成肖特基接触。

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