北京超弦存储器研究院孟敬恒获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体器件及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120018487B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311522447.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制造方法、电子设备是由孟敬恒;段晶晶设计研发完成，并于2023-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及但不限于半导体技术，半导体器件包括：设置在衬底上的晶体管和电容；所述电容包括第一电容电极、电容介电层和第二电容电极，所述电容介电层至少设置在所述第一电容电极与所述第二电容电极之间；所述第一电容电极与所述第一电极连接；至少部分所述第一电容电极设置在所述第一电极的侧壁上；从而提高第一电容电极的稳定性。
本发明授权半导体器件及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、设置在所述衬底上的多个存储单元，所述存储单元包括沿平行于所述衬底的第一方向排列的晶体管和电容； 所述晶体管包括沟道、栅极绝缘层、栅极、第一电极和第二电极，所述栅极绝缘层设置在所述栅极与所述沟道之间，所述第一电极和所述第二电极分别与所述沟道连接； 所述电容包括第一电容电极、电容介电层和第二电容电极，所述电容介电层至少设置在所述第一电容电极与所述第二电容电极之间；所述第一电容电极与所述第一电极连接； 相互连接的所述第一电容电极和所述第一电极在所述第一方向上具有交叠； 所述第一电容电极包括互相连接的主体部分以及夹持部，所述夹持部设置在所述主体部分靠近所述第一电极的一侧，所述夹持部中设置有夹持槽，所述夹持槽的开口朝向所述第一电极设置，至少部分所述第一电极设置在所述夹持槽内，所述夹持部与所述第一电极在所述第一方向上具有交叠。
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