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龙图腾网获悉长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利半导体器件及制作方法、功率模块、功率转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922935B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510076749.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及制作方法、功率模块、功率转换电路和车辆是由邓辉;史田超;李小昆设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及制作方法、功率模块、功率转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及制作方法、功率模块、功率转换电路和车辆。制作方法包括：形成半导体本体；在半导体本体的第一表面上形成第一掩模层，其中，第一掩模层包括第一通孔，所述第一通孔暴露所述栅极沟槽和至少部分所述第一区域；在栅极沟槽内形成第一氧化层；以第一掩模层为掩模在半导体本体内形成反型层；去除第一掩模层及第一氧化层；在栅极沟槽中形成绝缘层及沟槽栅极。本发明提供了一种半导体器件及制作方法、功率模块、功率转换电路和车辆，可以减少制作半导体器件的工艺步骤，降低了半导体器件的制作成本。

本发明授权半导体器件及制作方法、功率模块、功率转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 形成半导体过渡体；在所述半导体过渡体的第一表面上形成第二掩模层；以所述第二掩模层为掩模对所述半导体过渡体进行刻蚀形成栅极沟槽，被刻蚀后的所述半导体过渡体作为半导体本体，其中，所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，所述半导体本体还包括阱区和第一区域，所述第一区域设置为第一导电类型且位于所述第一表面；所述阱区设置为第二导电类型且位于所述第一区域远离所述第一表面的一侧；所述第一表面还设置有栅极沟槽，所述栅极沟槽从所述第一表面延伸至所述半导体本体中，所述第一区域与所述栅极沟槽相邻； 对部分所述第二掩模层进行氧化形成第二氧化层，去除所述第二氧化层，形成第一掩模层，其中，所述第一掩模层包括第一通孔，所述第一通孔暴露所述栅极沟槽和至少部分所述第一区域； 在所述栅极沟槽内形成第一氧化层； 以所述第一掩模层为掩模在所述半导体本体内形成反型层，其中，所述反型层与所述栅极沟槽的侧壁相邻；所述反型层设置为第一导电类型； 去除所述第一掩模层及所述第一氧化层； 在所述栅极沟槽中形成绝缘层及沟槽栅极，其中，所述绝缘层位于所述栅极沟槽的底面和侧壁，所述沟槽栅极位于所述栅极沟槽内所述绝缘层远离所述反型层的一侧。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长飞先进半导体(武汉)有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼546室(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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