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龙图腾网获悉南京工业大学申请的专利一种具有宽光谱响应特性的光电探测器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119907321B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510132755.5，技术领域涉及：H10F30/282；该发明授权一种具有宽光谱响应特性的光电探测器及其制备方法和应用是由赵柄昇;王琳;宋雪芬;谢海涛;刘天宇;李金泽设计研发完成，并于2025-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有宽光谱响应特性的光电探测器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提出了一种具有宽光谱响应特性的光电探测器及其制备方法和应用，器件采用AuWSe22PbI22HfO22Si的二维器件结构。器件制备流程如下：首先，通过溶液法在HfO22Si衬底表面制备二维PbI22纳米片。接着，采用范德华集成工艺，在PbI22纳米片表面堆叠WSe22纳米片，制备WSe22PbI22异质结构，此过程需高度精确操作，以保证异质界面清洁且紧密接触。随后，利用电子束曝光EBL与真空镀膜技术在WSe22PbI22异质结构表面精确绘制并沉积金Au电极。该光电探测器展现出宽光谱探测特性，在紫外、可见光及近红外范围内均具有良好的光谱响应能力。为宽光谱成像、光通信等领域提供了坚实的物质基础和技术支持。

本发明授权一种具有宽光谱响应特性的光电探测器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种具有宽光谱响应特性的光电探测器，其特征在于： 所述光电探测器自上而下依次包括Au源漏电极、WSe2沟道层、PbI2功能层、HfO2介电层及Si栅电极，WSe2PbI2之间通过范德华力结合形成二维异质结构，WSe2为1‑4层，厚度为0.7‑3 nm，PbI2厚度为1‑5 nm，Au厚度为60‑100 nm，沟道宽度200 nm‑5 mm，制备方法具体步骤如下： 步骤1 依次使用丙酮、异丙醇和无水乙醇在超声机中各超声 10 分钟清洗 HfO2Si衬底，然后用高纯氮气吹干备用； 步骤2 取 10mg PbI2原料溶解于 10ml 超纯水中，在 90℃的磁力搅拌台上搅拌 4h 以上使 PbI2颗粒充分溶解； 步骤3 将 PbI2溶液滴涂在步骤 1 中已清洗干净的 HfO2Si 衬底表面，并在热板上保持 40℃加热至水分挥发完全，衬底上形成形状规整的二维 PbI2纳米片； 步骤4 制备 WSe2层，将机械剥离的 WSe2直接剥离在 PDMS 上，获得 WSe2PDMS； 步骤5 通过范德华集成工艺，在显微镜视野下，将步骤 4 中获得的目标 WSe2对准步骤 3中已制备好的目标 PbI2，在 80 ‑ 90°C 下保持贴合 2 ‑ 3 分钟，抬升热释放胶带使 WSe2落在 PbI2薄膜上，完成异质结的制备，过程保持在氮气氛围中进行，以保证两层材料的界面清洁且紧密接触； 步骤6在具有 WSe2PbI2异质结的衬底表面依次旋涂光刻胶 PMMA ‑ A4 和 PMMA ‑ A5，并分别在 180°C 热板上烘烤 90s； 步骤7 在扫描电镜中找到样品周围区域并刻画对准标记，将曝光的对准标记显影，并用显微镜拍照记录，定位样品和刻画图案； 步骤8 进行标记的对准和样品的曝光； 步骤9 显影后用氮气枪吹干，通过EBL方法，结合Auto CVD软件在WSe2PbI2异质结的表面设计结构与尺寸合理的电极图案，并通过热蒸镀镀膜工艺，在异质结的表面沉积金属电极Au； 该探测器满足紫外、可见或红外波段的探测需求；具体光谱探测范围200‑1100 nm。

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