京东方华灿光电(浙江)有限公司崔伟豪获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方华灿光电(浙江)有限公司申请的专利发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894191B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411761672.4，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权发光二极管及其制备方法是由崔伟豪;田艳红;刘小亮;任茹蓁;王薇;林振华设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：外延结构、复合透明导电层、介质膜层和金属反射层；复合透明导电层包括第一透明导电子层和第二透明导电子层，第二透明导电子层包括多个导电单元；第一透明导电子层位于外延结构表面，多个导电单元间隔排布在第一透明导电子层表面，介质膜层覆盖第一透明导电子层，介质膜层具有与多个导电单元对应的通孔，通孔的底部位于导电单元表面，金属反射层覆盖介质膜层且与通孔内的第二透明导电子层电连接。复合透明导电层包括第一透明导电子层和第二透明导电子层，避免了在制作介质膜层的通孔时过刻蚀，使得透明导电层过薄，导致电流扩展能力下降，提高了发光二极管的可靠性。
本发明授权发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延结构10、复合透明导电层105、介质膜层106和金属反射层107； 所述复合透明导电层105包括第一透明导电子层1051和第二透明导电子层1052，所述第二透明导电子层1052包括多个导电单元1053； 所述第一透明导电子层1051位于所述外延结构10表面，所述多个导电单元1053间隔排布在所述第一透明导电子层1051表面，所述介质膜层106覆盖所述第一透明导电子层1051，所述介质膜层106具有与所述多个导电单元1053对应的通孔118，所述通孔118的底部位于所述导电单元1053表面，所述金属反射层107覆盖所述介质膜层106且与所述通孔118内的所述第二透明导电子层1052电连接。
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