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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种缓解非易失性忆阻器电导弛豫效应的编程方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119889393B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411964769.5，技术领域涉及：G11C16/12；该发明授权一种缓解非易失性忆阻器电导弛豫效应的编程方法是由杨玉超;张柏骏;余连风;张腾;袁锐;黄如设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种缓解非易失性忆阻器电导弛豫效应的编程方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种缓解非易失性忆阻器电导弛豫效应的编程方法，属于阻变存储器技术领域。本发明通过给忆阻器施加正反向亚阈值电导巩固脉冲使所写入的电导状态变得稳定，从而有效地抑制了电导随时间的弛豫效应，使所写入的信息更准确。同时，相比于已被报道的编程方法，大大降低了编程过程复杂度和时间成本，也不需要引入额外的硬件支持，对双向弛豫效应也能达到很好的抑制效果，有利于实现需要准确存储信息的应用场景，包括科学数值计算、高效类脑计算等，具有颇高的应用发展前景。

本发明授权一种缓解非易失性忆阻器电导弛豫效应的编程方法在权利要求书中公布了：1.一种缓解非易失性忆阻器电导弛豫效应的编程方法，其中将对忆阻器进行读操作所得电导值、目标电导值、可容许编程电导误差分别记为Gread、GT和Ge，将读操作所得电导值与目标电导值的差距记为ΔG，即ΔG=Gread‑GT，总循环数记为n，电导巩固循环数记为m，SET或RESET写入脉冲连续施加的次数记为i，具体步骤包括如下： 编程开始，读取忆阻器当前电导Gread； 2若Gread处于目标电导区间内[GT‑Ge, GT+Ge]，即|ΔG|Ge，则直接进入电导巩固阶段； 否则进行写验证；其中进行电导巩固阶段具体为，对m进行判断，若m==mmax，则编程成功；否则运行电导巩固子流程；即施加SET方向亚阈值脉冲，随后读电导；其中mmax是指预设的电导巩固循环次数；若此时不满足|ΔG|Ge，则直接结束电导巩固子流程；否则施加RESET方向亚阈值脉冲，随后读电导，结束电导巩固子流程，并在结束电导巩固子流程后，m变为m+1，对电导巩固子流程里所得Gread进行进一步判断； 3若步骤2中判定进行写验证，对n进行判断，若n==nmax，则编程失败；否则继续对Gread进行判断；其中nmax是指预设的最大循环次数；若Gread低于目标电导区间[GT‑Ge, GT+Ge]，即ΔG‑Ge，则施加置位SET脉冲序列；若Gread高于目标电导区间，即ΔGGe，则施加复位RESET脉冲序列； 其中，所述施加RESET脉冲序列具体为，施加RESET脉冲， i变为i+1，随后读电导；若此时仍满足ΔGGe且i≠imax，则增加RESET脉冲幅值，并重复施加RESET脉冲与进行判断；否则结束RESET子流程，且n变为n+1，重复步骤2—3； 所述施加SET脉冲序列具体为，施加SET脉冲，i变为i+1，随后读电导；若此时仍满足ΔG‑Ge且i≠imax，则增加SET脉冲幅值，并重复施加SET脉冲与进行判断；否则结束SET子流程，且n变为n+1，重复步骤2—3。

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