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龙图腾网获悉南京信息工程大学申请的专利一种多晶面结构的RESURF GaN基HEMT及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866029B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510044534.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种多晶面结构的RESURF GaN基HEMT及其制备方法是由赵见国;王菲;徐儒;常建华设计研发完成，并于2025-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多晶面结构的RESURF GaN基HEMT及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多晶面结构的RESURFGaN基HEMT及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域；该器件从下到上依次包括衬底层101、GaN缓冲层102、掩膜层103、复合沟道结构104、源极105、漏极106、p‑NiO层107、p++‑NiO层108和栅极109；通过控制GaN的晶面取向和外延生长条件，形成特定结构的三维GaN台面，从而有效避免刻蚀损伤；同时，p‑NiO层107与复合沟道结构104中的2DEG相互耗尽，显著优化电场分布，提升击穿电压，并通过复合沟道结构104的多沟道设计有效降低导通电阻。

本发明授权一种多晶面结构的RESURF GaN基HEMT及其制备方法在权利要求书中公布了：1. 一种多晶面结构的RESURF GaN基HEMT，其特征在于：包括从下到上依次设置的衬底层101、向上晶面为0002面的GaN缓冲层102、含有特定孔阵列的掩膜层103、在掩膜层103孔内并且与GaN缓冲层102接触的复合沟道结构104、位于复合沟道结构104两端的源极105与漏极106、以三维形态覆盖在复合沟道结构104之上的p‑NiO层107、覆盖在p‑NiO层107之上的p+‑NiO层108、覆盖在p+‑NiO层108之上的栅极109；其中，掩膜层103的孔为沿方向1和方向2均对称的六边形长条孔，其任意相邻两条边的夹角为120°，两条与方向1平行的边是长边且长度为a，在方向1两端各有两条与方向1夹角为60°的边是短边且长度为b；所述方向1为横向方向，方向2为同时垂直于横向方向和垂直方向的第三维方向；复合沟道结构104是从掩膜层103长条孔向上延伸的台面结构，自下而上包含2~5对依次设置的GaN沟道层1041和InxAlyGa1‑x‑yN势垒层1042，底面为000‑2晶面并且与GaN缓冲层102接触，顶面为0002晶面，底面和顶面由Pm个晶面m和Pn个晶面n连接，并且晶面m和晶面n都是与顶面不垂直的斜面；源极105以欧姆接触形式覆盖在复合沟道结构104沿方向1一侧的斜面和顶面，漏极106以欧姆接触形式覆盖在复合沟道结构104在方向1另一侧的斜面和顶面；p‑NiO层107覆盖在复合沟道结构104的表面且与源极105边缘和漏极106边缘均不接触，p+‑NiO层108覆盖在p‑NiO层107的表面且靠近源极105一侧，栅极109覆盖在p+‑NiO层108的表面；Pm和Pn分别是4和2时，晶面m是{20‑21}面、命名为m1~m4，晶面n是{10‑11}面、命名为n1~n2；其中两个{10‑11}面：n1和n2沿方向1延伸、并且底部与掩膜层103长条孔的长边接触，p‑NiO层107是覆盖在此n1和n2上；制备源极105的一侧包含m1、m2两个{20‑21}面，m1、m2相互接触且与n1、n2接触；制备漏极106的一侧包含m3、m4两个{20‑21}面，m3、m4相互接触且与n1、n2接触；或者，Pm和Pn分别是3和6时，晶面m是{1‑102}面、命名为m1~m3，晶面n是{11‑23}面、命名为n1~n6；其中两个{11‑23}面：n1和n2沿方向1延伸、并且底部与掩膜层103长条孔的长边接触，p‑NiO层107是覆盖在此n1和n2上；制备源极105的一侧包含m1、m2两个{1‑102}面和n3、n4两个{11‑23}面，m1、m2与n1、n2接触，n3、n4相互接触并且分别与m1、m2接触；制备漏极106的一侧包含m3一个{1‑102}面和n5、n6两个{11‑23}面，并且n5、n6与n1、n2接触，m3与n5、n6接触。

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