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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体测试结构及其测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119833516B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510025622.8，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权半导体测试结构及其测试方法是由谷东光设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体测试结构及其测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体测试结构及其测试方法。半导体测试结构包括多个基本测试单元，基本测试单元包括：衬底，通过隔离结构界定有第一、第二有源区，沿第一方向间隔排布；两多晶硅结构，形成于衬底表面，沿第一方向延伸、沿第二方向间隔排布，每一多晶硅结构在衬底上的正投影与第一、第二有源区部分重叠，在第二方向上、两多晶硅结构之间具有第一间距，第一、第二方向形成夹角且平行于衬底表面；介质层，覆盖第一、第二有源区并填充于两多晶硅结构之间；第一、第二接触结构，贯穿介质层与第一、第二有源区相接触并位于两多晶硅结构之间；通过测量第一、第二接触结构的漏电电流判断两多晶硅结构之间所填充的介质层是否产生孔洞。

本发明授权半导体测试结构及其测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括多个基本测试单元，所述基本测试单元包括： 衬底，所述衬底内通过隔离结构界定有第一有源区及第二有源区，所述第一有源区与所述第二有源区沿第一方向间隔排布，所述第一方向平行于所述衬底表面； 两多晶硅结构，形成于所述衬底表面，两所述多晶硅结构沿第一方向延伸、沿第二方向间隔排布，每一所述多晶硅结构在所述衬底上的正投影与所述第一有源区及所述第二有源区部分重叠，沿所述第二方向，两所述多晶硅结构之间具有第一间距，其中，所述第二方向平行于所述衬底表面、且所述第二方向与所述第一方向形成夹角,多个所述基本测试单元的所述第一间距逐渐变化，通过测量多个所述基本测试单元中的第一接触结构及第二接触结构的漏电电流，能够获取所述第一间距的工艺窗口参数； 介质层，覆盖所述第一有源区及第二有源区，并填充于两所述多晶硅结构之间； 第一接触结构，贯穿所述介质层与所述第一有源区相接触，并位于两所述多晶硅结构之间； 第二接触结构，贯穿所述介质层与所述第二有源区相接触，并位于两所述多晶硅结构之间； 所述半导体测试结构于所述第一间距的工艺窗口参数中选定一参数作为基准间距,在所述第一方向上，所述第一有源区与所述第二有源区具有第二间距；在所述第二方向上，至少一所述多晶硅结构位于所述隔离结构上方的部分还形成朝向另一所述多晶硅结构凸出的突出部，所述突出部位于两所述多晶硅结构的相对侧，使得在所述第二方向上两所述多晶硅结构之间的最小间距小于所述基准间距，并通过测量所述第一接触结构及所述第二接触结构的漏电电流判断两所述多晶硅结构之间所填充的所述介质层是否产生孔洞。

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