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电子科技大学高山获国家专利权

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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种柔性ZnO/CsPbBr3 QD光电探测器用于监测植物接受的光照强度获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119789589B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510042595.5,技术领域涉及:H10F77/14;该发明授权一种柔性ZnO/CsPbBr3 QD光电探测器用于监测植物接受的光照强度是由高山;黄武林;潘亮设计研发完成,并于2025-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

一种柔性ZnO/CsPbBr3 QD光电探测器用于监测植物接受的光照强度在说明书摘要公布了:本发明提供一种柔性ZnOCsPbBr33QD光电探测器用于监测植物接受的光照强度,属于植物光照强度监测技术领域。该柔性ZnOCsPbBr33QD光电探测器是在柔性PET衬底上激光刻蚀加工氧化铟锡电极材料,形成柔性ITOPET衬底,并在所述柔性ITOPET衬底上生长ZnO纳米柱,再将CsPbBr33QD分散液旋涂附着于ZnO纳米柱上完成制备;并将该柔性光电探测器作为柔性器件贴于植物叶片上,通过该光电探测器光电流随时间的变化来确定光照强度与光电流变化的规律,连续监测植物接受的光照强度。本发明柔性光电探测器作为柔性器件具有着良好的柔韧性、机械耐久性和稳定性,更好的便携性和低制造成本。

本发明授权一种柔性ZnO/CsPbBr3 QD光电探测器用于监测植物接受的光照强度在权利要求书中公布了:1.一种柔性ZnOCsPbBr3 QD光电探测器在监测植物接受的光照强度中的应用,其特征在于,所述柔性ZnOCsPbBr3 QD光电探测器是在柔性PET衬底上激光刻蚀加工氧化铟锡ITO电极材料,电极沟道长L=2mm,宽W=0.05mm,形成柔性厚度为0.125mm的ITOPET衬底,并在所述柔性ITOPET衬底上生长ZnO纳米柱,再将CsPbBr3 QD分散液旋涂附着于ZnO纳米柱上完成制备;将所述柔性ZnOCsPbBr3 QD光电探测器作为柔性器件贴于植物叶片上,调整LED植物灯照射的色光和高度,来改变光照强度,结合柔性ZnOCsPbBr3 QD光电探测器光电流随时间的变化来确定光照强度与光电流变化的规律,进而连续监测不同环境光照强弱下,植物接受的光照强度; 所述CsPbBr3 QD分散液采用热注入法合成,包括以下步骤: 首先将CsCO3、十八烯和油酸放入三口烧瓶中,用氮气作为保护气体,120℃油浴,磁力搅拌1h,升温至150℃,搅拌反应3h,形成油酸铯溶液;其次,将PbBr2、十八烯放入三口烧瓶中混合得到粗溶液,用氮气作为保护气体,120℃干燥0.5h,然后迅速往粗溶液中注入油酸和油胺得到PbBr2混合液,再将150℃预热油酸铯溶液迅速注入PbBr2混合液中,反应5s后立即将三口烧瓶冰水浴冷却,以保证反应得到的CsPbBr3 QD粗溶液结晶;最后加入叔丁醇将CsPbBr3 QD粗溶液离心分离两次,转速和时间分别为12000r、4min和8000r、4min,弃去上清液,提纯后在离心管中加入正己烷,使得CsPbBr3 QD均匀分散在正己烷溶剂中,得到CsPbBr3 QD分散液; 将采用热注入法合成的CsPbBr3 QD分散液以3000r、20s、3次旋涂附着于采用水热法合成的ZnO纳米柱上,然后在80℃加热台上放置1min‑2min。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学,其通讯地址为:611731 四川省成都市郫都区合作街道西源大道2006号电子科技大学清水河校区;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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