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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种基于特异性抗体的纳米孔传感器的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119780177B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411968905.8，技术领域涉及：G01N27/26；该发明授权一种基于特异性抗体的纳米孔传感器的制备方法及其应用是由冯思路;陈涛设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于特异性抗体的纳米孔传感器的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于特异性抗体的纳米孔传感器的制备方法及其应用，涉及重金属监测领域。所述方法包括：基于电子束曝光微纳加工技术，在Si33N44薄膜基底上制备Si33N44纳米孔，得到Si33N44纳米孔阵列；对Si33N44纳米孔阵列进行表面功能化，以将特异性抗体固定在纳米孔表面；其中，特异性抗体可与目标重金属反应结合后在偏置电压下产生电信号特征变化。相较于现有技术，本发明制得的纳米孔传感器成本低，表现出高选择性和高灵敏度。

本发明授权一种基于特异性抗体的纳米孔传感器的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种基于特异性抗体的纳米孔传感器的制备方法，其特征在于，包括： 基于电子束曝光微纳加工技术，在Si3N4薄膜基底上制备Si3N4纳米孔，得到Si3N4纳米孔阵列； 对所述Si3N4纳米孔阵列进行表面功能化，以将特异性抗体固定在纳米孔表面；其中，所述特异性抗体可与目标重金属反应结合后在偏置电压下产生电信号特征变化； 其中，对所述Si3N4纳米孔阵列进行表面功能化，包括： 清洗所述Si3N4纳米孔阵列后，对所述Si3N4纳米孔阵列在第一预设功率区间内进行氧气等离子体处理，以引入含氧官能团；其中，所述含氧官能团包括羧基； 使用CDI溶液活化所述Si3N4纳米孔阵列表面羧基，并通过EDCNHS交联反应将所述特异性抗体结合到所述Si3N4纳米孔阵列表面，形成具有高特异性的传感界面； 所述使用CDI溶液活化所述Si3N4纳米孔阵列表面羧基，并通过EDCNHS交联反应将所述特异性抗体共价结合到所述Si3N4纳米孔阵列表面，包括： 配置0.1 M 至1 M的CDI溶液，将所述Si3N4纳米孔阵列置入所述CDI溶液中，在室温下反应第六预设时长，活化所述Si3N4纳米孔阵列表面羧基； 通过EDCNHS交联反应第七预设时长，将活化的羧基转化为活性酯；其中，溶液配比为1 mM EDC与1 mM NHS； 将所述特异性抗体以指定浓度区间溶解至缓冲液后，将溶解有所述特异性抗体的所述缓冲液加入到表面活化的所述Si3N4纳米孔阵列上，进行第八预设时长的反应，以将所述特异性抗体共价结合到所述Si3N4纳米孔阵列表面； 反应完成后，采用PBS溶液清洗，以去除未结合的所述特异性抗体，得到功能化的所述纳米孔传感器。

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