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龙图腾网获悉常州比太科技有限公司申请的专利HBC太阳能电池结构及其无非晶损伤制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767855B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411958128.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权HBC太阳能电池结构及其无非晶损伤制备方法是由刘奇尧;潘家彦设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本HBC太阳能电池结构及其无非晶损伤制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于晶体硅太阳能电池技术领域，具体涉及一种HBC太阳能电池结构及其无非晶损伤制备方法，包括如下步骤：步骤S1，对硅片进行双面抛光；步骤S2，对硅片的背面由上至下沉积一层i：a‑Si层、P：a‑Si层、高功函数TCO层和i：a‑Si掩膜层；步骤S3，对硅片的背面P区激光氧化；步骤S4，对硅片的背面湿法清洗；步骤S5，对硅片的背面由上至下沉积一层i：a‑Si层、N：a‑Si层、低功函数TCO层和i：a‑Si掩膜层；步骤S6，对硅片的背面N区激光氧化；步骤S7，清洗硅片背面并对硅片的正面制绒；步骤S8，对硅片正背面制备氧化铝层和氮化硅层，并填充隔离叉指排列结构的隔离区；步骤S9，对硅片的背面进行激光开膜；步骤S10，在开窗区域印刷金属浆料，完成电池的制备。

本发明授权HBC太阳能电池结构及其无非晶损伤制备方法在权利要求书中公布了：1.一种HBC太阳能电池的无非晶损伤制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1，对硅片进行双面抛光，以制备带有润滑碱抛塔基形貌的洁净硅片表面； 步骤S2，对硅片的背面由上至下沉积一层i：a‑Si层，对被沉积面进行HPT清洗后再由上至下依次沉积P：a‑Si层、高功函数TCO层和i：a‑Si掩膜层； 步骤S3，对硅片的背面P区激光氧化，在外层的i：a‑Si掩膜层外侧形成图形化氧化硅掩膜； 步骤S4，对硅片的背面湿法清洗，去除图形化氧化硅掩膜和无掩膜区域的沉积层，并腐蚀硅基、清洗硅片； 步骤S5，对硅片的背面由上至下沉积一层i：a‑Si层，对被沉积面进行HPT清洗后再由上至下依次沉积N：a‑Si层、低功函数TCO层和i：a‑Si掩膜层； 步骤S6，对硅片的背面N区激光氧化，在外层的i：a‑Si掩膜层外侧形成图形化氧化硅掩膜； 步骤S7，清洗硅片背面以暴露出N区和P区的TCO层并制备P区非晶高功函数TCO层与N区非晶低功函数TCO层的隔离叉指排列结构，同时对硅片的正面制绒； 步骤S8，对硅片的正面和背面依次制备氧化铝层和氮化硅层，并填充隔离叉指排列结构的隔离区； 步骤S9，对硅片的背面进行激光开膜，局部开窗以使高功函数TCO层和低功函数TCO层暴露； 步骤S10，在硅片的背面开窗区域印刷金属浆料固化光注入，完成电池的制备。

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