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龙图腾网获悉常州比太科技有限公司申请的专利背接触BC太阳能电池结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767854B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411958087.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权背接触BC太阳能电池结构及其制备方法是由刘奇尧;潘家彦设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本背接触BC太阳能电池结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于太阳能发电技术领域，具体涉及一种背接触BC太阳能电池结构及其制备方法，所述电池的背面N区设有隧穿SiO22层与高晶化率低寄生吸收的掺磷N+poly层；P区依次设有i：a‑Si层、P：a‑Si分层和P‑uc‑SiOxxCyy分层；所述电池的正面设有叠层渐变氮化硅减反射钝化膜；本发明背面N区采用SiO22层和高晶化率低寄生吸收的N+poly场结构替代传统HBC的i:a‑Si+N:a:Si的场结构提升电流密度、背面N区采用绒面陷光结构替代抛光结构提升电流密度，以及金属电极接触面积增大降低接触电阻提升填充因子、TCO透明导电膜上层增加一层低温氮化硅减反射膜提升钝化和电流密度、P区N区隔离区氮化硅覆盖减反射提升钝化和电流密度，提升电池背面效率，提升双面率。

本发明授权背接触BC太阳能电池结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背接触BC太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1，对硅片进行双面制绒，以制备带有低反射率金字塔绒面形貌的洁净硅片表面； 步骤S2，对硅片的背面由下至上氧化制备隧穿SiO2层，再在隧穿SiO2层上由下至上沉积掺磷N+poly层，然后对硅片的正面由上至下沉积掺磷N+poly层，再在掺磷N+poly层上由上至下沉积SiO2掩膜层； 步骤S3，对硅片背面的掺磷N+poly层进行激光氧化制备SiO2掩膜层； 步骤S4，对硅片进行碱抛清洗，去除背面无SiO2掩膜层区域的隧穿SiO2层和掺磷N+poly层与正面的SiO2掩膜层，并腐蚀暴露出背面硅基； 步骤S5，将硅片进行高温退火，将非晶硅高温晶化激活推进掺杂原子，使硅片的正面掺磷N+poly层与背面掺磷N+poly层分别形成N+前钝化场与N+内扩层，高温氧化正面掺磷N+poly层至SiO2掩膜层后去除得到FSF层，进行酸洗处理； 步骤S6，在酸洗后的硅片背面由上至下沉积一层i：a‑Si层，对被沉积面进行HPT清洗后再由上至下沉积P：a‑Si层； 步骤S7，采用喷墨打印在硅片背面的P区非晶表面制备图案化掩膜； 步骤S8，采用离子刻蚀去除硅片背面P区中无图案化掩膜部分的非晶硅； 步骤S9，采用有机溶剂超声清洗硅片并去除背面的图案化掩膜； 步骤S10，对硅片的背面进行HPT清洗并沉积一层TCO透明导电膜； 步骤S11，在硅片的背面进行激光刻蚀将N区与P区隔离； 步骤S12，在硅片的正面沉积一层氧化铝层，再在硅片的正面与背面分别沉积叠层渐变氮化硅减反射钝化膜； 步骤S13，采用激光开槽，对硅片背面的N区和P区的叠层渐变氮化硅减反射钝化膜局部开窗以露出TCO透明导电膜，在开槽区丝网印刷低温金属浆料固化光注入； 所述步骤S6中，i：a‑Si层的厚度为2‑10nm； 所述P：a‑Si层包括P：a‑Si分层和P‑uc‑SiOxCy分层；其中所述P：a‑Si分层的厚度为10‑20nm，掺杂浓度为1E+18cm‑3～5E+18cm‑3： 所述P‑uc‑SiOxCy分层的厚度为20‑50nm，掺杂浓度为5E+18cm‑3～2E+19cm‑3。

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