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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种与CMOS集成的自选择存储器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730252B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411772429.2，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权一种与CMOS集成的自选择存储器的制备方法是由王宗巍;杨高琦;蔡一茂;黄如设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种与CMOS集成的自选择存储器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种与CMOS集成的自选择存储器的制备方法，属于半导体Semiconductor和CMOS混合集成电路技术领域。本发明通过采用在CMOS后道中形成选通单元Selector和新型存储单元的电学连接，构成自选择存储器结构，与传统1T1R结构相比，本发明在满足驱动能力相同的情况下，显著提升了阵列密度，降低了工艺成本。

本发明授权一种与CMOS集成的自选择存储器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种与CMOS集成的自选择存储器的制备方法，其步骤包括： 1在CMOS前道金属层后生长介质层二； 2在所述介质层二后形成具有第一光刻图形的光刻胶；并通过干法刻蚀形成底部通孔结构； 3在通孔结构后沉积通孔材料，然后进行CMP磨平，介质层二作为CMP停止层； 4在CMP后的结构后依次沉积功能层一、功能层二、功能层三、钝化层； 5在钝化层后形成具有第二光刻图形的光刻胶；并通过干法刻蚀形成选通单元结构； 6清洁上述结构，进行钝化处理；沉积钝化层； 7在钝化层后形成具有第三光刻图形的光刻胶；并通过干法刻蚀形成钝化层侧壁； 8在上述结构后沉积介质层三，使之包裹选通单元结构与钝化层； 9在上述介质层三后沉积介质层一，然后进行CMP磨平； 10在上述磨平的介质层一后形成具有第四光刻图形的光刻胶；并通过干法刻蚀形成第一中间通孔；然后沉积通孔，并制备一金属层，形成选通单元的后部金属层； 11在选通单元的后部金属层后生长介质层二； 12在所述介质层二后形成具有第一光刻图形的光刻胶；并通过干法刻蚀形成第二中间通孔结构； 13在通孔结构后沉积通孔材料，然后进行CMP磨平，介质层二作为CMP停止层； 14在CMP后的结构后依次沉积存储单元功能层； 15在钝化层后形成具有第二光刻图形的光刻胶；并通过干法刻蚀形成存储单元； 16清洁上述存储单元结构，进行钝化处理；沉积钝化层； 17在钝化层后形成具有第三光刻图形的光刻胶；并通过干法刻蚀形成钝化层侧壁； 18在上述结构后沉积介质层三，使之包裹器件与钝化层； 19在上述介质层三后沉积介质层一，然后进行CMP磨平； 20在磨平上述介质层一后，形成具有第四光刻图形的光刻胶；并通过干法刻蚀形成顶部通孔；然后沉积顶部通孔，并制备一金属层，最终完成自选择存储器件。

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