荣芯半导体(淮安)有限公司;豪威科技股份有限公司司伟获国家专利权
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龙图腾网获悉荣芯半导体(淮安)有限公司;豪威科技股份有限公司申请的专利横向扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451154B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411550730.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权横向扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法是由司伟;亚历山大·卡尔尼茨基设计研发完成，并于2024-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本横向扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法，所述方法包括：在衬底上形成栅极材料层与氮化硅掩膜层；以氮化硅掩膜层为掩膜刻蚀栅极材料层形成栅极；形成具有第一开口的图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层与氮化硅掩膜层为掩膜进行高能量离子注入形成第一体区；修整图形化的光刻胶层形成第二开口；以图形化的光刻胶层与氮化硅掩膜层为掩膜进行低能量离子注入形成第二体区；去除图形化的光刻胶层与氮化硅掩膜层。本发明以氮化硅掩膜层为掩膜形成栅极后并不去除氮化硅掩膜层，而是以图形化的光刻胶层与氮化硅掩膜层为掩膜进行离子注入，能够避免高能量离子注入时离子直接穿透图形化的光刻胶层进入栅极内，从而避免影响栅极的电阻。
本发明授权横向扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底，在所述衬底上依次形成栅极材料层与氮化硅掩膜层； 以所述氮化硅掩膜层为掩膜刻蚀所述栅极材料层，形成栅极； 形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层覆盖所述衬底表面、所述栅极侧壁以及所述氮化硅掩膜层的侧壁与顶部，并具有暴露出相邻所述栅极之间部分所述衬底的第一开口； 以所述图形化的光刻胶层与所述氮化硅掩膜层为掩膜，通过所述第一开口进行高能量离子注入，在相邻所述栅极之间的所述衬底内形成第一体区； 修整所述第一开口两侧的部分所述图形化的光刻胶层，形成至少暴露出所述栅极侧壁的第二开口； 以所述图形化的光刻胶层与所述氮化硅掩膜层为掩膜，通过所述第二开口进行低能量离子注入，在相邻所述栅极之间的所述衬底内形成第二体区；以及去除所述图形化的光刻胶层与所述氮化硅掩膜层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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