上海积塔半导体有限公司张林夕获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利碳化硅晶圆处理过程中的监测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119446951B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411586386.9，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权碳化硅晶圆处理过程中的监测方法是由张林夕;杨军;章学安设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅晶圆处理过程中的监测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种碳化硅晶圆处理过程中的监测方法。所述碳化硅晶圆处理过程中的监测方法包括如下步骤：提供碳化硅晶圆；形成覆盖碳化硅晶圆的背面的金属种子层；采用激光退火工艺处理碳化硅晶圆和金属种子层，形成欧姆接触层；于欧姆接触层背离碳化硅晶圆的表面形成背面金属层，形成碳化硅功率器件；获取背面金属层表面的粗糙度，作为第一粗糙度；通过粘合剂贴装碳化硅功率器件至封装基板上，形成碳化硅封装器件；根据第一粗糙度判断碳化硅功率器件与封装基板之间的粘合剂中孔隙率的大小。本发明采用粗糙度来表征孔隙率的大小，实现了在碳化硅晶圆处理过程中的在线监控，且不会对碳化硅晶圆造成损伤等影响。
本发明授权碳化硅晶圆处理过程中的监测方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶圆处理过程中的监测方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供碳化硅晶圆，所述碳化硅晶圆包括沿第一方向相对分布的正面和背面； 形成覆盖所述碳化硅晶圆的背面的金属种子层； 采用激光退火工艺处理所述碳化硅晶圆和所述金属种子层，形成覆盖所述碳化硅晶圆的背面的欧姆接触层； 于所述欧姆接触层背离所述碳化硅晶圆的表面形成背面金属层，形成碳化硅功率器件； 获取所述背面金属层背离所述碳化硅晶圆的表面的粗糙度，作为第一粗糙度； 通过粘合剂贴装所述碳化硅功率器件至封装基板上，形成碳化硅封装器件；根据所述第一粗糙度判断所述碳化硅功率器件与所述封装基板之间的所述粘合剂中孔隙率的大小。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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