重庆臻宝半导体材料有限公司郑洋获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆臻宝半导体材料有限公司申请的专利一种氧化钇-氧化铝过渡层复合陶瓷及其制备方法与应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119430879B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411565504.8,技术领域涉及:C04B35/10;该发明授权一种氧化钇-氧化铝过渡层复合陶瓷及其制备方法与应用是由郑洋;肖永宝;曾文厚;谭敏;常梓勋;杨潇枭;陈立航;蒋晓钧设计研发完成,并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化钇-氧化铝过渡层复合陶瓷及其制备方法与应用在说明书摘要公布了:本发明公开了一种氧化钇‑氧化铝过渡层复合陶瓷及其制备方法与应用,在冷等静压机的成型模具中自下而上依次铺设定量的氧化铝粉末、过渡混合粉末和氧化钇粉末,然后采用冷等静压工艺对成型模具中的粉末原料进行均匀加压,得到成型陶瓷生坯;再将成型陶瓷生坯通过机加工后成设计形状后进行烧结,获得以氧化铝部分作为氧化铝基材、过渡混合粉末作为过渡层以及氧化钇部分作为涂层的复合陶瓷,过渡层能够减小氧化钇与氧化铝结合界面的间隙,使界面无缝衔接,更加致密;此外,过渡层中氧化铝颗粒与氧化钇粉颗粒混合均匀且相互嵌入,显著地提高了材料间的机械锁结,结合力更强;解决了现有技术中氧化钇耐刻蚀防护涂层结合力差、易剥落的问题。
本发明授权一种氧化钇-氧化铝过渡层复合陶瓷及其制备方法与应用在权利要求书中公布了:1.一种氧化钇‑氧化铝过渡层复合陶瓷的制备方法,其特征在于,包括如下步骤: S1、原料选择:采用氧化铝粉末和氧化钇粉末;氧化铝粉末的平均粒径为57μm,氧化钇粉末的平均粒径为38μm; S2、添加定量原料:在冷等静压机的成型模具中自下而上依次铺设定量的氧化铝粉末、过渡混合粉末和氧化钇粉末,在成型模具中形成上层为氧化钇粉末、过渡层为过渡混合粉末以及下层为氧化铝粉末的原料布置;过渡混合粉末为氧化铝粉末和氧化钇粉末的混合物,过渡混合粉末中氧化铝粉末和氧化钇粉末的质量比为1:1; S3、重复n次步骤S2,直到原料填充满整个成型模具;其中,n≥0; S4、将填料后的成型模具放入冷等静压机中进行冷等静压成型,得到成型陶瓷生坯;冷等静压的压力为120MPa,保压时间为30s; S5、将成型陶瓷生坯通过机加工获得至少一件氧化钇‑氧化铝过渡层复合陶瓷生坯,并将氧化钇‑氧化铝过渡层复合陶瓷生坯加工成设计形状,氧化铝部分作为氧化铝基材,以过渡混合粉末作为过渡层,氧化钇部分作为涂层; S6、将步骤S5中得到的氧化钇‑氧化铝过渡层复合陶瓷生坯移送至高温烧结炉中进行烧结,随炉自然冷却至室温后得到氧化钇‑氧化铝过渡层复合陶瓷;过渡混合粉末无法形成钇铝石榴石晶体;高温烧结炉的烧结过程,包括如下步骤: S601:升温速率为200℃h,升温至300℃,保温时间2h;再以200℃h的升温速率升温至400℃,保温时间2h;再以200℃h的升温速率升温至500℃,保温时间2 h;再以200℃h的升温速率升温至1650℃,保温时间2h;在300℃至500℃时,氧化钇‑氧化铝过渡层复合陶瓷生坯在炉内进行排胶,即将氧化钇造粒粉和氧化铝造粒粉中的粘结剂分解排出; S602:降温速率为2℃min,从1650℃降温至1000℃,然后随炉自然冷却至室温; 氧化钇涂层与过渡层中的氧化钇成分连成一片,且在氧化钇涂层与过渡层的交界处以及过渡层中出现了氧化铝成分的嵌合点;氧化铝基材与过渡层存在明显的分界面,氧化铝基材与过渡层中部分的氧化铝成分相连,同时在氧化铝基材侧出现了氧化钇成分的嵌合点,氧化铝基材侧的部分氧化钇成分的嵌合点与过渡层中的氧化钇成分相连。
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