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龙图腾网获悉苏州南智芯材科技有限公司申请的专利晶体生长炉的温度标定方法、测量方法及测量装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119413291B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510013825.5，技术领域涉及：G01J5/80；该发明授权晶体生长炉的温度标定方法、测量方法及测量装置是由李胜雨;吴剑波;徐兵设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶体生长炉的温度标定方法、测量方法及测量装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种晶体生长炉的温度标定方法、测量方法及测量装置。该标定方法包括：获取晶体在目标温度区间内至少两个温度下的体积变化速度；其中，目标温度区间包含晶体的熔点；根据获得的体积变化速度和预先存储的晶体在目标温度区间内的体积变化速度经验值曲线，确定至少两个温度的温度值；获取炉内目标区域在至少两个温度下的图像灰度；根据获得的图像灰度和至少两个温度的温度值，确定目标区域的图像灰度与目标温度区间内各温度的对应关系。上述标定方法可方便后续晶体生长炉的温度测量，同时也避免了昂贵设备的购入，简化了设备操作，大大降低了成本。

本发明授权晶体生长炉的温度标定方法、测量方法及测量装置在权利要求书中公布了：1.一种晶体生长炉的温度标定方法，其特征在于，所述方法包括： 通过所述晶体的生长图片和所述晶体的提拉速度获取所述晶体在目标温度区间内至少两个温度下的体积变化速度；所述通过所述晶体的生长图片和所述晶体的提拉速度获取所述晶体在目标温度区间内至少两个温度下的体积变化速度，包括： 获取所述晶体在所述目标温度区间内一温度下相隔预设时间的第一图像和第二图像； 根据所述第一图像、所述第二图像以及所述预设时间确定所述晶体的横向变化速度； 获取所述晶体的纵向变化速度； 根据所述纵向变化速度和所述横向变化速度确定所述晶体在该温度下的体积变化速度； 重复上述步骤，获取所述晶体在所述目标温度区间内至少另一温度下的体积变化速度； 其中，所述目标温度区间包含所述晶体的熔点； 根据获得的体积变化速度和预先存储的所述晶体在所述目标温度区间内的体积变化速度经验值曲线，确定所述至少两个温度的温度值；其中，所述体积变化速度经验值曲线是通过预先测量所述晶体在不同设定温度下的体积变化速度结合对应设定温度绘制得到的，且所述晶体的体积变化速度是通过所述晶体的生长图片结合所述晶体的提拉速度得到的； 所述晶体生长炉的炉内温度是通过控制其加热功率致使炉内温度高于所述晶体的熔点或低于所述晶体的熔点； 获取炉内目标区域在所述至少两个温度下的图像灰度； 根据获得的图像灰度和所述至少两个温度的温度值，确定所述目标区域的图像灰度与所述目标温度区间内各温度的对应关系。

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