应用材料公司戴维·汤普森获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利基板的选择性蚀刻获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119343757B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380046012.5，技术领域涉及：H10P50/64；该发明授权基板的选择性蚀刻是由戴维·汤普森;巴斯卡尔·乔蒂·布雅;马克·沙丽;丽莎·恩曼;艾伦·丹格菲尔德;杰苏斯·坎德拉里奥·门多萨;杰弗里·W·安西斯;拉克马尔·卡拉塔拉格设计研发完成，并于2023-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板的选择性蚀刻在说明书摘要公布了：本文描述一种用于选择性地清洁和或蚀刻样品的方法。该方法包括在基板的沟槽中选择性地形成膜，使得该沟槽可以被选择性地蚀刻。聚合物膜沉积在沟槽的底表面上而不沉积在侧壁上。第二膜选择性的形成在该沟槽中而不在该聚合物膜上形成该第二膜。然后从该沟槽的该底表面移除该聚合物，并且然后使用蚀刻化学在该沟槽的该底表面上执行蚀刻，其中该第二膜保护该侧壁不被蚀刻。
本发明授权基板的选择性蚀刻在权利要求书中公布了：1.一种方法，包括： 将基板放置到腔室中，所述基板包括层，所述层包括形成在所述层中的至少一个沟槽，所述至少一个沟槽具有顶表面、底表面和至少一个侧壁； 在所述至少一个沟槽的所述底表面上沉积聚合物膜，而不在所述至少一个沟槽的所述至少一个侧壁上沉积所述聚合物膜，其中所述聚合物膜是可流动膜，所述可流动膜在沉积所述可流动膜期间在目标温度范围内的温度下流到所述至少一个沟槽的所述底表面； 在所述层上选择性地形成第二膜，而不在所述聚合物膜上形成所述第二膜； 从所述至少一个沟槽的所述底表面移除所述聚合物膜；以及使用蚀刻化学蚀刻所述沟槽的所述底表面，其中所述第二膜保护所述至少一个侧壁不受所述蚀刻化学的影响。
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