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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119314867B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310826286.8，技术领域涉及：H10P76/00；该发明授权半导体结构的制作方法是由关文婧;冯大伟;刘海龙;高展;张瑜设计研发完成，并于2023-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底；形成第一掩膜图形，第一掩膜图形沿第一方向延伸，沿第二方向间隔排列；形成第二掩膜图形，第二掩膜图形沿第一方向在第一掩膜图形的上方间隔排列；根据第二掩膜图形刻蚀第一掩膜图形，将第一掩膜图形划分成沿第一方向间隔排列的第一目标图形；形成第三掩膜图形，第三掩膜图形沿第一方向延伸，沿第二方向间隔排列；形成第四掩膜图形，第四掩膜图形沿第一方向在第三掩膜图形的上方间隔排列；根据第四掩膜图形刻蚀第三掩膜图形，将第三掩膜图形划分成沿第一方向间隔排列的第二目标图形。本申请降低了形成第一目标图形和第二目标图形的图形密度，提高了第一目标图形和第二目标图形的图形质量。

本发明授权半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供基底； 在所述基底上形成第一掩膜图形，所述第一掩膜图形沿第一方向延伸，所述第一掩膜图形沿垂直于所述第一方向的第二方向间隔排列； 形成第二掩膜图形，所述第二掩膜图形沿所述第一方向在所述第一掩膜图形的上方间隔排列； 根据所述第二掩膜图形刻蚀所述第一掩膜图形，将所述第一掩膜图形划分成沿所述第一方向间隔排列的第一目标图形； 在所述第一目标图形的上方形成第三掩膜图形，所述第三掩膜图形沿所述第一方向延伸，所述第三掩膜图形沿所述第二方向间隔排列，所述第一掩膜图形在所述基底上形成的投影和所述第三掩膜图形在所述基底上形成的投影无重叠区域； 形成第四掩膜图形，所述第四掩膜图形沿所述第一方向在所述第三掩膜图形的上方间隔排列； 根据所述第四掩膜图形刻蚀所述第三掩膜图形，将所述第三掩膜图形划分成沿所述第一方向间隔排列的第二目标图形； 所述第一掩膜图形在所述第二方向上具有第一尺寸，相邻的所述第一掩膜图形之间具有第二尺寸； 所述第三掩膜图形在所述第二方向上具有第三尺寸，相邻的所述第三掩膜图形之间具有第四尺寸； 所述第二掩膜图形在所述第二方向上的尺寸大于或等于所述第一尺寸，所述第四掩膜图形在所述第二方向上的尺寸大于或等于所述第三尺寸； 所述第一尺寸小于所述第四尺寸，所述第三尺寸小于所述第二尺寸。

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