华中科技大学郭二娟获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于氧化物半导体的铁电垂直晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300411B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411366577.4，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种基于氧化物半导体的铁电垂直晶体管及其制备方法是由郭二娟;周淅;翟天佑设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于氧化物半导体的铁电垂直晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于微电子器件相关技术领域，其公开了一种基于氧化物半导体的铁电垂直晶体管及其制备方法，该铁电垂直晶体管包括衬底、栅极金属电极、栅极铁电层、栅极绝缘介质层、岛状源极、氧化物半导体、源极接触电极、顶部漏极。本发明利用氧化铪基铁电材料作为栅极铁电材料，可以实现信息的写入和读取，并放大栅极电压对沟道的调控效果，降低栅极电容和沟道电容的比值，降低晶体管的工作电压，以减少铁电垂直晶体管的功耗。此外，通过在栅极铁电薄膜上再制备一层栅极绝缘介质层，以促进铁电相的形成，同时绝缘介质层的引入可以抑制电荷的注入，进而调节氧化铪基铁电材料的极化状态，提高了铁电晶体管的整体性能。
本发明授权一种基于氧化物半导体的铁电垂直晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于氧化物半导体的铁电垂直晶体管，其特征在于：所述铁电垂直晶体管包括衬底100、栅极金属电极200、栅极铁电层300、栅极绝缘介质层400、岛状源极500、氧化物半导体600、源极接触电极700和顶部漏极800；所述衬底100、栅极金属电极200、栅极铁电层300、栅极绝缘介质层400、岛状源极500自下而上层层堆叠，所述氧化物半导体600和源极接触电极700设置在岛状源极上，所述顶部漏极800设置在氧化物半导体600上，所述铁电垂直晶体管的沟道长度为氧化物半导体600的实际厚度，所述铁电垂直晶体管通过正负栅压对栅极铁电层300的极化方向的调控，进而实现该铁电垂直晶体管对数据的擦除与写入。
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