拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司李中帅获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利顶针状态检测装置、膜层沉积检测方法和半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119275132B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411376580.4，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权顶针状态检测装置、膜层沉积检测方法和半导体工艺设备是由李中帅;吴凤丽;杨华龙;张启辉;朱晓亮设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本顶针状态检测装置、膜层沉积检测方法和半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种顶针状态检测装置、膜层沉积检测方法和半导体工艺设备。该检测装置包括：顶针，可升降地穿插于托盘的顶针孔中，用于承接或送出晶圆；压力传感器，分别设于各顶针的下方，各压力传感器包括多个压力检测区，以分别对应各顶针底部的多个区域；以及控制器，被配置为：当晶圆放置位于初始位置的多个顶针上，控制各顶针下降到工艺位置，对晶圆进行沉积工艺；根据各压力传感器，分别获取各顶针下降过程中的底部的多个区域的压力检测值及其落点位置；以及基于多个区域的压力检测值及其落点位置，确定各顶针在下降过程中的状态。本发明能够避免因顶针状态异常而导致晶圆背面被划伤，同时还能够为顶针的及时清洗提供数据支撑。
本发明授权顶针状态检测装置、膜层沉积检测方法和半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种顶针状态检测装置，设置于反应腔内，其特征在于，所述顶针状态检测装置包括： 顶针，可升降地穿插于晶圆托盘的顶针孔中，用于承接或送出晶圆； 压力传感器，分别设于各所述顶针的下方，各所述压力传感器包括多个压力检测区，以分别对应各所述顶针底部的多个区域；以及控制器，被配置为：响应于送入所述反应腔内的晶圆放置于位于初始位置的多个顶针上，控制各所述顶针下降到工艺位置，以对所述晶圆进行沉积工艺；根据各所述压力传感器，分别获取各所述顶针下降过程中的顶针底部的多个区域的压力检测值及其落点位置； 以及基于所述顶针底部的多个区域的压力检测值及其落点位置，确定各所述顶针在下降过程中的状态。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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