天合光能股份有限公司仇翔获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利一种TBC太阳能电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153559B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411250897.3，技术领域涉及：H10F77/70；该发明授权一种TBC太阳能电池的制备方法是由仇翔;吴魁艺;柳伟;陈达明设计研发完成，并于2024-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种TBC太阳能电池的制备方法在说明书摘要公布了：本发明揭示了一种TBC太阳能电池的制备方法，包括将衬底浸入预定温度中与指定溶液进行制绒，且制绒时间控制在预定时间内；在衬底背面依次沉积隧穿氧化层和本征多晶硅层；在本征多晶硅层远离隧穿氧化层的一侧沉积掩膜层；在掩膜层上形成第一开口区，并在第一开口区上进行硼扩推进形成掺硼多晶硅层；在掩膜层上形成第二开口区，并在第二开口区上进行磷扩推进形成掺磷多晶硅层；第一开口区与第二开口区之间剩余有掩膜层；以及在衬底背面沉积减反层。本发明能够缩短生产工序，并且降低激光损伤对电池的风险。
本发明授权一种TBC太阳能电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下： 将衬底浸入预定温度中与指定溶液进行制绒，且制绒时间控制在预定时间内； 在所述衬底背面依次沉积隧穿氧化层和本征多晶硅层； 在所述本征多晶硅层远离所述隧穿氧化层的一侧沉积掩膜层； 在所述掩膜层上形成第一开口区，并在所述第一开口区上进行硼扩推进形成掺硼多晶硅层，具体包括：采用硼扩工艺在所述第一开口区形成BSG层，并经过第一指定温度推进后，位于所述第一开口区和所述隧穿氧化层之间的本征多晶硅层变为所述掺硼多晶硅层； 在所述掩膜层上形成第二开口区，并在所述第二开口区上进行磷扩推进形成掺磷多晶硅层；所述第一开口区与所述第二开口区之间剩余有所述掩膜层；以及在所述衬底背面沉积减反层。
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