本源量子计算科技(合肥)股份有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉本源量子计算科技(合肥)股份有限公司申请的专利一种空气桥阵列及其制造方法和超导量子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119031824B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310619877.8，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权一种空气桥阵列及其制造方法和超导量子器件是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;赵勇杰设计研发完成，并于2023-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种空气桥阵列及其制造方法和超导量子器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种空气桥阵列及其制造方法和超导量子器件，属于超导电路领域。所述方法在围绕垂直于所述掩膜图形层表面的第一方向旋转所述目标元件的同时，沿第二方向沉积第一镀膜材料，针对性的在各所述桥面支撑部位于所述沉积窗口内的侧面形成加固膜层，由沉积窗口内的镀膜材料所形成桥墩对由桥面支撑部上的镀膜材料所形成的桥面的连接支撑基于该加固膜层形成加固，从而能够提高空气桥稳定性，防止桥墩对桥面的支撑强度不足而引起坍塌。
本发明授权一种空气桥阵列及其制造方法和超导量子器件在权利要求书中公布了：1.一种空气桥阵列的制造方法，其特征在于，包括： 形成具有多个空气桥图形单元的掩膜图形层于目标元件上，每个空气桥图形单元均包括两个暴露部分所述目标元件的沉积窗口，及位于两个沉积窗口之间的桥面支撑部，且至少存在三个沉积窗口呈非共线分布； 围绕垂直于所述掩膜图形层表面的第一方向旋转所述目标元件的同时，沿着相对第一方向倾斜的第二方向沉积第一镀膜材料，以在各所述桥面支撑部位于所述沉积窗口内的侧面形成加固膜层； 在所述桥面支撑部背离所述目标元件的正表面及所述目标元件位于所述沉积窗口内的裸露表面沉积第二镀膜材料，以在正表面形成第一膜层并在裸露表面形成第二膜层，且第一膜层和第二膜层均与加固膜层形成连接；及，对第一膜层和第二膜层图形化以形成空气桥。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人本源量子计算科技(合肥)股份有限公司，其通讯地址为：230008 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期E2楼六层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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