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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利集成电路的布局结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118983295B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310538484.4，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权集成电路的布局结构及其制作方法是由白文琦设计研发完成，并于2023-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成电路的布局结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种集成电路的布局结构及其制作方法，其中，集成电路的布局结构包括：基底；沿第一方向依次排布的多个晶体管，相邻两个晶体管串联连接，每一晶体管包括位于基底上的栅极及位于栅极相对两侧的源极区及漏极区，且相串联的两个晶体管共用源极区或者漏极区；第一金属硅化物部，第一金属硅化物部位于边缘晶体管远离与边缘晶体管相邻的另一晶体管的一侧，且与边缘晶体管中非共源漏极区的源极区或漏极区连接；第二金属硅化物部，第二金属硅化物部位于基底内，且第二金属硅化物部在基底表面的正投影与栅极在基底表面的正投影间隔设置，第二金属硅化物部与共源漏极区连接。可以降低整个结构的电阻。

本发明授权集成电路的布局结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路的布局结构，其特征在于，包括： 基底； 沿第一方向依次排布的多个晶体管，相邻两个所述晶体管串联连接，每一所述晶体管包括位于所述基底上的栅极及位于所述栅极相对两侧的源极区及漏极区，所述源极区及所述漏极区位于所述基底内，且相串联的两个所述晶体管共用所述源极区或者所述漏极区，其中，共用的所述源极区或者所述漏极区被定义为共源漏极区，处于首级的所述晶体管以及处于尾级的所述晶体管均被定义为边缘晶体管； 第一金属硅化物部，所述第一金属硅化物部位于所述基底内，所述第一金属硅化物部位于所述边缘晶体管远离与所述边缘晶体管相邻的另一所述晶体管的一侧，且与所述边缘晶体管中非共源漏极区的源极区或漏极区连接； 第二金属硅化物部，所述第二金属硅化物部位于所述基底内，且所述第二金属硅化物部在所述基底表面的正投影与所述栅极在所述基底表面的正投影间隔设置，所述第二金属硅化物部与所述共源漏极区连接； 第一导电插塞，所述第一导电插塞位于所述边缘晶体管远离与其相邻所述晶体管的一侧，所述第一导电插塞位于所述第一金属硅化物部的顶面且与所述第一金属硅化物部连接，所述第一导电插塞的顶面高于所述基底的顶面； 第二导电插塞，所述第二导电插塞位于串联的所述晶体管的栅极之间，且所述第二导电插塞位于所述第二金属硅化物部的顶面且与所述第二金属硅化物部连接，所述第二导电插塞的顶面高于所述基底的顶面； 第一导电层，所述第一导电层位于所述第一导电插塞的顶面且与所述第一导电插塞接触电连接，且所述第一导电层与所述第二导电插塞相绝缘； 伪导电层，所述伪导电层与所述第一导电层同层设置，且所述伪导电层与所述第二导电插塞顶面相接触，所述伪导电层与所述第一导电层相绝缘。

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