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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种平面肖特基势垒二极管寄生参数的快速提取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118966145B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410988762.0，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权一种平面肖特基势垒二极管寄生参数的快速提取方法是由张勇;骆祥;高翔;朱华利;肖飞设计研发完成，并于2024-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种平面肖特基势垒二极管寄生参数的快速提取方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种平面肖特基势垒二极管寄生参数的快速提取方法，属于太赫兹固态器件技术领域，具体为：在有限元电磁仿真软件内构建包含共面波导的平面肖特基势垒二极管三维电磁模型，以及无空气桥的、肖特基结短路的和肖特基结开路的三维电磁模型；在电路仿真软件内分别构建无空气桥的、肖特基结短路的和肖特基结开路对应的等效电路；在工作频段范围内依次对无空气桥的、肖特基结短路的以及肖特基结开路的等效电路进行电路仿真，通过调节寄生参数，使其与对应三维电磁模型的电磁仿真的S11和S21趋于一致，进而确定平面肖特基势垒二极管的寄生参数；本发明无需繁琐的数学计算以及长时间的实物加工测试，即可获得寄生参数，可用于快速优化设计高性能的平面肖特基势垒二极管，尤其适用于太赫兹频段的电路设计。

本发明授权一种平面肖特基势垒二极管寄生参数的快速提取方法在权利要求书中公布了：1.一种平面肖特基势垒二极管寄生参数的快速提取方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、在有限元电磁仿真软件内构建包含共面波导的平面肖特基势垒二极管三维电磁模型，并在此基础上，分别构建无空气桥的三维电磁模型，肖特基结短路的三维电磁模型，以及肖特基结开路的三维电磁模型； 步骤2、在电路仿真软件内分别构建无空气桥的三维电磁模型对应的等效电路，肖特基结短路的三维电磁模型对应的等效电路，以及肖特基结开路的三维电磁模型对应的等效电路； 步骤3、提取工作频段范围内平面肖特基势垒二极管的寄生参数，包括空气桥产生的寄生电感Lf和寄生电阻Rf，肖特基结边缘寄生电容Cf，以及阴极焊盘与阳极焊盘之间的寄生电容Cpp，具体过程为： 步骤3.1、在无空气桥的三维电磁模型中，通过共面波导激励，提取其电磁仿真的反射系数S11和传输系数S21；在无空气桥的三维电磁模型对应的等效电路中，调整Cpp，使其电路仿真的反射系数S11'与对应电磁仿真的反射系数S11趋于一致，以及电路仿真的传输系数S21'与对应电磁仿真的传输系数S21趋于一致，此时的Cpp为Cpp提取值； 步骤3.2、在肖特基结短路的三维电磁模型中，通过共面波导激励，提取其电磁仿真的反射系数S11和传输系数S21；在肖特基结短路的三维电磁模型对应的等效电路中，将Cpp设置为步骤3.1所得Cpp提取值，调整Lf和Rf，使其电路仿真的反射系数S11'与对应电磁仿真的反射系数S11趋于一致，以及电路仿真的传输系数S21'与对应电磁仿真的传输系数S21趋于一致，此时的Lf和Rf分别为Lf提取值和Rf提取值； 步骤3.3、在肖特基结开路的三维电磁模型中，通过共面波导激励，提取其电磁仿真的反射系数S11和传输系数S21；在肖特基结开路的三维电磁模型对应的等效电路中，将Cpp设置为步骤3.1所得Cpp提取值，Lf和Rf分别设置为步骤3.2所得Lf提取值和Rf提取值，调整Cfp，使其电路仿真的反射系数S11'与对应电磁仿真的反射系数S11趋于一致，以及电路仿真的传输系数S21'与对应电磁仿真的传输系数S21趋于一致，此时的Cfp为Cfp提取值。

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