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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118866829B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310450514.6，技术领域涉及：H10W74/10；该发明授权封装结构及其制造方法是由吕开敏设计研发完成，并于2023-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种封装结构及其制造方法，封装结构包括：主处理芯片；芯片堆叠组，位于主处理芯片的至少一侧，芯片堆叠组包括堆叠设置的芯片，每层芯片至少包括两个间隔设置的芯片功能区，最底层的芯片还包括底层连接区，底层连接区位于最底层的相邻两个芯片功能区之间，并与芯片功能区相连；多层芯片的芯片功能区在堆叠方向上对齐设置；第一封装层，至少包覆所述芯片堆叠组的侧壁；第二封装层，至少填充于所述芯片堆叠组与所述主处理芯片之间，且至少覆盖所述第一封装层的部分表面。本公开实施例至少可以缩小封装结构的尺寸，并避免封装层与芯片发生分离的问题。

本发明授权封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，包括： 主处理芯片； 芯片堆叠组，位于所述主处理芯片的至少一侧，所述芯片堆叠组包括堆叠设置的芯片，每层所述芯片至少包括两个间隔设置的芯片功能区，最底层的所述芯片还包括底层连接区，所述底层连接区位于最底层的相邻两个所述芯片功能区之间，并与所述芯片功能区相连；多层所述芯片的所述芯片功能区在堆叠方向上对齐设置； 第一重布线层，所述第一重布线层横跨所述底层连接区，并与所述底层连接区相对两侧的所述芯片功能区电连接； 最底层的所述芯片的下表面具有多个第一焊接凸块，部分所述第一焊接凸块位于所述芯片功能区的下表面，部分所述第一焊接凸块位于所述底层连接区的下表面； 最底层的所述芯片内还包括多个第一导电通孔，部分所述第一导电通孔贯穿所述芯片功能区，部分所述第一导电通孔贯穿所述底层连接区； 所述第一重布线层与所述第一焊接凸块和所述第一导电通孔电连接； 第一封装层，至少包覆所述芯片堆叠组的侧壁； 第二封装层，至少填充于所述芯片堆叠组与所述主处理芯片之间，且至少覆盖所述第一封装层的部分表面。

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