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龙图腾网获悉天津大学申请的专利金属有机框架和多孔氧化石墨烯晶态杂化膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118615875B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410672729.7，技术领域涉及：B01D67/00；该发明授权金属有机框架和多孔氧化石墨烯晶态杂化膜及其制备方法和应用是由姜忠义;何光伟;赵珉刚;赵权;王健宇设计研发完成，并于2024-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本金属有机框架和多孔氧化石墨烯晶态杂化膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金属有机框架和多孔氧化石墨烯晶态杂化膜，该晶态杂化膜包括金属有机框架MOF和多孔氧化石墨烯PGO，通过直流电场下共沉积ZIF‑8与荷负电的二维PGO纳米片制备；制备过程中，所述ZIF‑8在基膜上生长的同时，二维PGO纳米片通过氢键、离子键和配位键吸附荷正电的前驱体，并一起沉积在该基膜上，然后，所述二维PGO纳米片诱导ZIF‑8在该二维PGO纳米片上成核和生长，从而增强膜的筛分能力和机械性能。该膜的制备过程主要包括水热法制备PGO纳米片、共沉积法制备MOF‑PGO晶态杂化膜两步。将该膜用于C33H66C33H88体系的常压和高压分离，在不同压力下对C33H66都具有高渗透速率、高选择性，同时该膜具有良好的高压稳定性和长期稳定性。

本发明授权金属有机框架和多孔氧化石墨烯晶态杂化膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种金属有机框架和多孔氧化石墨烯晶态杂化膜，其特征在于，该晶态杂化膜通过直流电场下共沉积ZIF‑8与荷负电的二维多孔氧化石墨烯纳米片制备；制备过程中，所述ZIF‑8在基膜上生长的同时，所述二维多孔氧化石墨烯纳米片通过氢键、离子键和配位键吸附荷正电的前驱体，并一起沉积在该基膜上，然后，所述二维多孔氧化石墨烯纳米片诱导ZIF‑8在该二维多孔氧化石墨烯纳米片上成核和生长，从而得到金属有机框架和多孔氧化石墨烯晶态杂化膜，该晶态杂化膜的厚度为450~520 nm，该杂化膜的制备是： 首先，以氧化石墨烯纳米片和过氧化氢为反应原料，通过水热法制备二维多孔氧化石墨烯纳米片； 然后，将上述的二维多孔氧化石墨烯纳米片加入到2‑甲基咪唑和Zn离子的ZIF‑8前驱体溶液中，搅拌均匀后作为金属有机框架和二维多孔氧化石墨烯纳米片的共沉积溶液； 随后，将预先喷涂铂的阳极氧化铝基膜浸入到上述共沉积溶液中作为电场阴极，在恒定电流下进行沉积，沉积至电压保持稳定为止，所得产物经去离子水和甲醇冲洗、浸泡，室温干燥，最终所得为金属有机框架和多孔氧化石墨烯晶体杂化膜。

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