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龙图腾网获悉日立能源有限公司申请的专利功率半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118402073B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280082199.X，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权功率半导体器件及其制造方法是由W·A·维塔勒;L·德-米奇伊里斯;C·科瓦斯塞设计研发完成，并于2022-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：在至少一个实施例中，功率半导体器件1包括：半导体本体2，栅极电极31，以及引出电极34，其中所述半导体本体2包括具有第一导电类型的源极区21，位于栅极电极31处具有不同于第一导电类型的第二导电类型的阱区22，具有第一导电类型的漂移区23，以及具有第一导电类型的势垒区28，所述势垒区28位于所述漂移区23和所述引出电极34之间。

本发明授权功率半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件1，包括半导体本体2、栅极电极31、源电极32和引出电极34，所述栅极电极31通过电绝缘的栅极绝缘体与所述半导体本体2隔开，其中，所述半导体本体2包括： ‑ 具有第一导电类型的源极区21，所述源极区21直接位于所述源电极32处并且直接位于所述栅极绝缘体处，‑ 具有不同于第一导电类型的第二导电类型的阱区22，所述阱区22直接位于所述栅极绝缘体处并且直接位于所述源极区21处，‑ 具有第一导电类型的漂移区23，所述漂移区23在远离所述源极区21的一侧在电学上跟随所述阱区22并且直接位于所述栅极绝缘体处，‑ 直接位于所述引出电极34处的引出区27，所述引出区27具有第二导电类型，以及‑ 分配给所述引出电极34且具有第一导电类型的势垒区28，所述势垒区28直接位于所述漂移区23与所述引出电极34之间，使得所述引出区27位于所述势垒区28与所述引出电极34之间，并且所述引出区27全部被所述势垒区28围绕，所述势垒区28形成阱，所述引出区27位于所述阱中，并且所述势垒区28远离所述栅极绝缘体，其中，所述阱区22和所述引出区27具有相同的最大掺杂浓度和或相同的掺杂深度分布，其中，所述半导体本体2还包括具有第二导电类型的深掺杂区29，所述深掺杂区29位于所述漂移区23的至少一部分与所述势垒区28之间，其中，所述深掺杂区29进入所述半导体本体2中的深度超过所述阱区22的深度，其中，所述势垒区28的底侧至少部分地没有所述深掺杂区29。

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