清华大学深圳国际研究生院徐晓敏获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学深圳国际研究生院申请的专利一种柔性有机薄膜晶体管及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118139487B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410229641.8，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种柔性有机薄膜晶体管及其制备方法和应用是由徐晓敏;郭昊天设计研发完成，并于2024-02-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种柔性有机薄膜晶体管及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种柔性有机薄膜晶体管及其制备方法和应用，属于薄膜晶体管技术领域。本发明提供的制备方法包括在柔性基底表面依次设置栅电极、氧化铝栅介质、自组装单分子层、图案化有机半导体层和源漏电极；设置氧化铝栅介质的磁控溅射，满足以下参数中的至少一个：A.柔性基底温度为20～180℃；B.气氛为氩气和氧气按0.5～1.5:1体积比的混合；C.所用直流电源的功率为45～55W；D.气压为0.4～0.6Pa；E.柔性基底和靶材的距离为10～12cm。本发明提出的制备方法具有简便、可靠、重复性高的特点，所得柔性有机薄膜晶体管频率稳定性高。本发明还提供了上述制备方法制得的柔性有机薄膜晶体管及其应用。
本发明授权一种柔性有机薄膜晶体管及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种柔性有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： S1.在柔性基底表面设置栅电极； S2.采用磁控溅射法，在所述栅电极表面设置氧化铝栅介质； S3.在所述氧化铝栅介质表面设置自组装单分子层； S4.在所述自组装单分子层表面设置图案化的有机半导体层； S5.在所述有机半导体层表面设置源电极和漏电极； 步骤S2中，设置所述氧化铝栅介质的磁控溅射法满足以下工艺参数： A.气氛为氩气和氧气的混合，且所述氩气和氧气的体积比为0.5~1.5:1； B.采用直流电源，且所述直流电源的功率为45~55W； C.工作气压为0.4~0.6Pa； D.步骤S1所得部件和所用靶材的距离为10~12cm； E.步骤S1所得部件的温度为20~180℃； 步骤S3中，所述自组装单分子层的材质选自12‑环己基十二烷基膦酸； 步骤S4中，所述有机半导体层的材质选自PhBTBT12。
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