北京师范大学范楼珍获国家专利权
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龙图腾网获悉北京师范大学申请的专利堆叠可控的轴向生长的碳量子带和二维薄膜及其制备和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118047371B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410160153.6，技术领域涉及：C01B32/15；该发明授权堆叠可控的轴向生长的碳量子带和二维薄膜及其制备和应用是由范楼珍;石钰鑫设计研发完成，并于2024-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本堆叠可控的轴向生长的碳量子带和二维薄膜及其制备和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及碳纳米材料领域，具体涉及堆叠可控的轴向生长的碳量子带和二维薄膜及其制备和应用。本发明以5,7,12,14‑并五苯四酮为碳源前驱体，在浓硫酸条件下通过甲酰胺溶剂热法即可得到可溶液加工的堆叠可控的轴向生长的碳量子带和二维薄膜。本发明制备的轴向生长的碳量子带通过弱的相互作用力可以控制分子之间的共轭堆叠模式，进行形成表面致密且导电性良好的二维薄膜，具有广泛的应用前景。
本发明授权堆叠可控的轴向生长的碳量子带和二维薄膜及其制备和应用在权利要求书中公布了：1.堆叠可控的轴向生长的碳量子带，其特征在于，所述堆叠可控的轴向生长的碳量子带通过以下步骤制备： 以5, 7, 12, 14‑并五苯四酮作为碳源前驱体，超声使其溶于甲酰胺溶剂中，加入浓硫酸，得到反应混合液； 将上述反应混合液在220 ℃下溶剂热反应6小时，然后自然冷却到室温，从而得到所述堆叠可控的轴向生长的碳量子带的粗产物溶液; 将所述堆叠可控的轴向生长的碳量子带的粗产物溶液中和至pH = 7，离心除去上清液，去离子水洗涤，柱层析提纯得到所述堆叠可控的轴向生长的碳量子带固体粉末。
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