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龙图腾网获悉首都医科大学附属北京天坛医院申请的专利一种神经鞘瘤术中载瘤神经走形绘制阵列微电极装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117976294B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410210328.X，技术领域涉及：H01B7/04；该发明授权一种神经鞘瘤术中载瘤神经走形绘制阵列微电极装置是由周文剑龙;贾旺;刘祥祥;许钦;李德岭;马顺昌设计研发完成，并于2024-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种神经鞘瘤术中载瘤神经走形绘制阵列微电极装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种神经鞘瘤术中载瘤神经走形绘制阵列微电极装置，该装置包括顶部绝缘层、接触垫、柔性基底层、微型电极点和导电线路；所述的接触垫、微型电极点和导电线路设置在所述的顶部绝缘层和柔性基底层之间；所述的接触垫和微型电极点之间通过所述的导电线路电连接；所述的顶部绝缘层上设置有窗口部，所述的窗口部的位置与所述接触垫的位置对应；所述的接触垫透过所述的窗口部暴露在所述的顶部绝缘层之外；所述的柔性基底层使所述的神经鞘瘤术中载瘤神经走形绘制阵列微电极装置能够适应并稳定地贴合于神经与肿瘤的复杂界面。

本发明授权一种神经鞘瘤术中载瘤神经走形绘制阵列微电极装置在权利要求书中公布了：1.一种神经鞘瘤术中载瘤神经走形绘制阵列微电极装置的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在一个四英寸的氧化硅晶片上旋涂一层光敏聚酰亚胺形成柔性基底，随后经过光刻技术图案化电极外形； S2、在电极旋涂双层光刻胶，紫外光刻图案化金属引线，利用磁控溅射技术从下到上依次溅射5纳米厚的铬、100纳米厚的金和5纳米厚的铬组成的金属层，最终利用剥离工艺形成金属导线； S3、在电极上覆盖4微米厚的第二层聚酰亚胺，作为顶部的绝缘层； S4、进一步通过光刻技术图案化，以确定微型电极点的精确位置并暴露微型电极点；所述微型电极点的暴露通过光刻图案化实现，不设置对应的窗口部； S5、制作过程中会在微型电极点的表面形成氧化层，使用40%的氢氟酸来去除氧化层，然后使所述神经鞘瘤术中载瘤神经走形绘制阵列微电极装置从所述氧化硅晶片上分离； 所述神经鞘瘤术中载瘤神经走形绘制阵列微电极装置能够实时地显示相应的神经全程走行，在整个神经外科肿瘤手术过程中能够精确绘制出二维神经轨迹图； 所述神经鞘瘤术中载瘤神经走形绘制阵列微电极装置包括顶部绝缘层、接触垫、柔性基底层、微型电极点和导电线路； 所述顶部绝缘层上设置有窗口部，所述窗口部的位置与所述接触垫的位置对应；所述顶部绝缘层的材质为聚酰亚胺； 所述柔性基底层使所述神经鞘瘤术中载瘤神经走形绘制阵列微电极装置能够适应并稳定地贴合于神经与肿瘤的复杂界面；所述柔性基底层的材质为光敏聚酰亚胺； 所述接触垫、微型电极点和导电线路设置在所述顶部绝缘层和柔性基底层之间； 所述接触垫和微型电极点之间通过所述导电线路电连接； 所述接触垫通过导电银浆或各向异性导电胶与外部电路连接； 所述接触垫透过所述窗口部暴露在所述顶部绝缘层之外； 相邻的所述接触垫之间的横向间距为1.6mm，纵向间距为1.3mm； 所述神经鞘瘤术中载瘤神经走形绘制阵列微电极装置包括32个微型电极点； 所述32个微型电极点中的30个呈10×3的阵列分布，沿纵向分布有10行微型电极点，相邻两行微型电极点之间的间距是0.6mm；沿横向分布有3列微型电极点，相邻两列微型电极点之间的间距是2.5mm；剩下的2个微型电极点位于10×3微型电极点阵列的纵向上方，其与10×3微型电极点阵列中第一行电极点的纵向间接是0.6mm；所述2个微型电极点的横向间距为2.5mm； 当所述神经鞘瘤术中载瘤神经走形绘制阵列微电极装置完全制备并暴露于磷酸盐缓冲液中时，其在1kHz的电化学阻抗将稳定地保持在100至400千欧的范围内。

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