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迈来芯电子科技有限公司L·通贝兹获国家专利权

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龙图腾网获悉迈来芯电子科技有限公司申请的专利用于确定磁体和操纵杆的定向的器件和方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117906488B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311354562.1,技术领域涉及:G01B7/30;该发明授权用于确定磁体和操纵杆的定向的器件和方法是由L·通贝兹;N·杜普雷;E·拉海伊设计研发完成,并于2023-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

用于确定磁体和操纵杆的定向的器件和方法在说明书摘要公布了:一种确定磁体的定向α,β的方法1900,该磁体可绕具有相对于硅衬底的预定义位置的参考点枢转,该方法包括:提供硅衬底;确定沿第一方向的第一磁场梯度沿第二方向的第二磁场梯度;基于所述第一磁场梯度第二磁场梯度和第一校正值第二校正值D1至D8来确定第一角度α第二角度β。一种被配置成用于执行该方法的传感器器件。一种传感器系统,该传感器系统包括此类传感器器件和磁体,该磁体可选地连接至操纵杆。

本发明授权用于确定磁体和操纵杆的定向的器件和方法在权利要求书中公布了:1.一种用于确定具有轴线A的磁体的定向的传感器器件,所述传感器器件包括: 包括多个磁传感器的硅衬底; 处理电路1530,所述处理电路1530被配置成用于: a确定在平行于所述硅衬底的第一方向X上定向或在垂直于所述衬底的第三方向Z上定向的第一磁场分量Bx;Bz沿所述第一方向X的第一磁场梯度dBxdx;dBzdx; b确定在平行于所述硅衬底且垂直于所述第一方向X的第二方向Y上定向或在垂直于所述衬底的所述第三方向Z上定向的第二磁场分量By;Bz沿所述第二方向Y的第二磁场梯度dBydy;dBzdy; c将第一角度α确定为所述第一磁场梯度dBxdx;dBzdx和第一校正值D1、D2、D3、D5、D7的函数; d将第二角度β确定为所述第二磁场梯度dBydy;dBzdy和第二校正值D1、D2、D4、D6、D8的函数,其中,所述第一角度α和所述第二角度β与所述磁体的所述定向相对应; 其特征在于步骤a包括:确定垂直于所述硅衬底定向的磁场分量Bz沿所述第一方向X的第一磁场梯度dBzdx;并且步骤b包括:确定垂直于所述衬底定向的所述磁场分量Bz沿所述第二方向Y的第二磁场梯度dBzdy; 并且其中,所述第一校正值和所述第二校正值D1、D2、D3、D4选自由以下各项构成的组:温度的预定义函数、三个正交磁场分量Bx、By、Bz的平方和、沿所述第一方向X的三个正交磁场梯度dBxdx、dBydx、dBzdx的平方和、以及沿所述第二方向Y的三个正交磁场梯度dBxdy、dBydy、dBzdy的平方和。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人迈来芯电子科技有限公司,其通讯地址为:瑞士伯韦;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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