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龙图腾网获悉天津大学申请的专利一种g-C3N4基0D/2D型异质结光催化材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117899905B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211235457.1，技术领域涉及：B01J27/24；该发明授权一种g-C3N4基0D/2D型异质结光催化材料及其制备方法是由季惠明;赵晓东;马生花设计研发完成，并于2022-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种g-C3N4基0D/2D型异质结光催化材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种g‑C3N4基0D2D型异质结光催化材料及其制备方法，以g‑C3N4纳米片悬浊液为原料，结合二次煅烧法与原位岛状生长‑高温共沉淀结晶法制备得到。本发明制备的g‑C3N4基0D2D型异质结光催化材料在近红外光、可见光、模拟太阳光下对罗丹明B溶液均具有良好的光催化降解响应，具有良好的应用前景。本发明的制备方法简单，制备成本较低，且制备的材料光催化性能稳定，可重复性高。

本发明授权一种g-C3N4基0D/2D型异质结光催化材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种g‑C3N4基0D2D型异质结光催化材料，其特征在于，结合二次煅烧法与原位岛状生长‑高温共沉淀结晶法制备得到，按照下述步骤进行： 步骤1，采用二次煅烧法制备g‑C3N4纳米片粉体将双氰胺粉体原料置于反应容器中，占其容积的15％‑30％，进行热处理，升温制度为，以3‑5℃min的速率从室温升至200±10℃，再以4‑6℃min的速率从200±10℃升至500‑600℃，保温4‑6小时后随炉降温至室温，得到黄色g‑C3N4块体；再将块体g‑C3N4充分研磨成粉状物，置于反应容器中，不超过容积的35％，进行二次热处理，升温制度为，以3‑5℃min的速率从室温升至200±10℃，再以4‑6℃min的速率从200±10℃升至450‑550℃，保温3‑5小时后以4‑6℃min的速率降温至300±10℃，然后随炉降至室温取出，经二次煅烧得到淡黄色g‑C3N4纳米片粉体； 步骤2，制备g‑C3N4纳米片悬浊液将步骤1中得到的淡黄色g‑C3N4纳米片粉体置于容器中，按照质量比为1：150‑250的比例加入去离子水，充分搅拌形成分散液状，经超声处理后得到乳白色g‑C3N4纳米片悬浊液； 步骤3，制备g‑C3N4基0D2D型异质结前驱体材料将步骤2中得到的乳白色g‑C3N4纳米片悬浊液在搅拌条件下加热至沸腾，并同时将第一溶液和第二溶液滴加到搅拌沸腾状态的g‑C3N4纳米片悬浊液中，实现原位岛状生长‑高温共沉淀并结晶过程，滴加速度为0.3‑1.0mLmin，待滴加完成后继续搅拌使生长与结晶过程充分进行，之后静置形成沉淀，得到0D2D型异质结前驱体材料；在第一溶液中，溶剂为去离子水，溶质为金属无机盐CdNO32·4H2O或者InCl3·4H2O，浓度为0.10‑0.22molL；在第二溶液中，溶剂为去离子水，溶质为硫代乙酰胺或偏钒酸铵，浓度为0.12‑0.22molL； 步骤4，g‑C3N4基0D2D型异质材料形成将步骤3中得到的沉淀物去掉上清液并对沉淀进行离心，经水洗醇洗后，在80‑90℃下进行干燥，最终得到黄色g‑C3N4基0D2D型异质结粉体。

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