株式会社东芝;东芝高新材料公司青木克之获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝高新材料公司申请的专利高导热性氮化硅烧结体、氮化硅基板、氮化硅电路基板及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117794883B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280053227.5，技术领域涉及：C04B35/587；该发明授权高导热性氮化硅烧结体、氮化硅基板、氮化硅电路基板及半导体装置是由青木克之;五户康广;岩井健太郎;深泽孝幸;山形荣人设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本高导热性氮化硅烧结体、氮化硅基板、氮化硅电路基板及半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式的高导热性氮化硅烧结体，具备氮化硅晶粒及晶界相，所述氮化硅烧结体的导热率为80Wm·K以上。任意截面中单位面积20μm×20μm上存在的所述氮化硅晶粒的固溶氧量的平均值为0.2wt％以下。任意截面中单位面积50μm×50μm上存在的所述氮化硅晶粒的长径的平均值为1μm以上10μm以下。所述单位面积50μm×50μm上存在的所述氮化硅晶粒的长宽比的平均值为2以上10以下。
本发明授权高导热性氮化硅烧结体、氮化硅基板、氮化硅电路基板及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种高导热性氮化硅烧结体，具备氮化硅晶粒及晶界相，所述氮化硅烧结体的导热率为80Wm·K以上，任意截面中单位面积20μm×20μm上存在的所述氮化硅晶粒的固溶氧量的平均值为0.2wt％以下，任意截面中单位面积50μm×50μm上存在的所述氮化硅晶粒的长径的平均值为1μm以上10μm以下，所述单位面积50μm×50μm上存在的所述氮化硅晶粒的长宽比的平均值为2以上10以下，在将50Hz且室温的相对介电常数设为ε50‑25、将50Hz且300℃的相对介电常数设为ε50‑300时，ε50‑300ε50‑25为0.9以上1.2以下的范围内。
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