美光科技公司K·M·考尔道获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利包含垂直晶体管的装置及相关方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117637848B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311599631.5，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权包含垂直晶体管的装置及相关方法是由K·M·考尔道;D·V·N·拉马斯瓦米;刘海涛设计研发完成，并于2019-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本包含垂直晶体管的装置及相关方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及包含垂直晶体管的装置及相关方法。一种装置包括第一导电线及在所述第一导电线上方的垂直晶体管。所述垂直晶体管包括：栅极电极；栅极电介质材料，其上覆于所述栅极电极的侧；及沟道区域，其在所述栅极电介质材料的侧上，所述栅极电介质材料定位于所述沟道区域与所述栅极电极之间。所述装置进一步包括上覆于所述至少一个垂直晶体管的导电触点的第二导电线。还揭示相关装置及形成所述装置的方法。
本发明授权包含垂直晶体管的装置及相关方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括： 垂直晶体管，其上覆于基底结构，且包括： 电极，其垂直于所述基底结构的主平面竖直地延伸； 电介质材料，其邻近所述电极；及沟道区域，其邻近所述电介质材料且垂直于所述基底结构的所述主平面竖直地延伸，所述沟道区域包括复合结构，所述复合结构包含至少两种半导体材料； 屏蔽材料，其垂直于所述基底结构的所述主平面且在竖直方向上延伸，所述屏蔽材料包括导电材料；及电绝缘材料，其平行于所述沟道区域和所述屏蔽材料且在竖直方向上延伸，并经安置以横向邻近所述沟道区域和所述屏蔽材料，所述电绝缘材料包括第一侧壁和与所述第一侧壁相对的第二侧壁，所述电绝缘材料的所述第一侧壁沿所述沟道区域的整个高度与所述沟道区域物理接触，及所述电绝缘材料的所述第二侧壁沿所述屏蔽材料的整个高度与所述屏蔽材料物理接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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