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龙图腾网获悉本源量子计算科技(合肥)股份有限公司申请的专利掩膜及其制造方法、斜蒸发镀膜方法、超导电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117328015B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311255309.0，技术领域涉及：C23C14/04；该发明授权掩膜及其制造方法、斜蒸发镀膜方法、超导电路是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;贾志龙设计研发完成，并于2023-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩膜及其制造方法、斜蒸发镀膜方法、超导电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种掩膜及其制造方法、斜蒸发镀膜方法、超导电路。掩膜用于斜蒸发镀膜，包括：第一光刻胶层，用于形成于衬底上，第一光刻胶层形成有暴露衬底的第一窗口；第二光刻胶层，形成于第一光刻胶层上，第二光刻胶层形成有暴露第一窗口的第二窗口，第一窗口朝向镀膜方向的边缘超出第二窗口的边缘，以构成底切结构。利用该掩膜进行斜蒸发镀膜超导膜时，由于第一光刻胶层的侧壁被第二光刻胶层遮挡，膜层只会镀在第二光刻胶层的侧壁上，而第二光刻胶层又与衬底具有间隙，所以第二光刻胶层的侧壁上的膜层不与衬底上的膜层连接，剥离光刻胶时，第二光刻胶层的侧壁上的膜层会一并去除，从而本发明能够在进行超导膜沉积时，避免超导膜边缘翘起。

本发明授权掩膜及其制造方法、斜蒸发镀膜方法、超导电路在权利要求书中公布了：1.一种掩模的制造方法，所述掩模用于斜蒸发镀膜，其特征在于，包括： 在衬底上依次形成第一光刻胶层和第二光刻胶层，所述第一光刻胶层的曝光剂量低于所述第二光刻胶层的曝光剂量； 在所述第一光刻胶层上形成暴露所述衬底的第一窗口以及在所述第二光刻胶层上形成暴露所述第一窗口的第二窗口； 其中，所述第一窗口朝向镀膜方向的边缘超出所述第二窗口的边缘，以构成底切结构； 所述在所述第一光刻胶层上形成暴露所述衬底的第一窗口以及在所述第二光刻胶层上形成暴露所述第一窗口的第二窗口，包括： 在所述第二光刻胶层上确定第一曝光区域以及在镀膜方向上连接所述第一曝光区域的第二曝光区域； 基于所述第二光刻胶层的曝光剂量对所述第一曝光区域曝光，以分别在所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层上形成第一图案和第二图案； 基于所述第一光刻胶层的曝光剂量对所述第二曝光区域曝光，以使所述第一图案朝向所述镀膜方向的边缘超出所述第二图案的边缘； 显影所述第一图案得到暴露所述衬底的第一窗口以及显影所述第二图案得到暴露所述第一窗口的第二窗口； 或者，所述在所述第一光刻胶层上形成暴露所述衬底的第一窗口以及在所述第二光刻胶层上形成暴露所述第一窗口的第二窗口，包括： 在所述第二光刻胶层上确定第一曝光区域以及在所述镀膜方向上连接所述第一曝光区域的第二曝光区域； 基于所述第一光刻胶层的曝光剂量对所述第二曝光区域曝光，以在所述第一光刻胶层上形成第三图案； 基于所述第二光刻胶层的曝光剂量对所述第一曝光区域曝光，以在所述第一光刻胶层上形成连接所述第三图案的第一图案以及在所述第二光刻胶层上形成第二图案； 显影所述第一图案和所述第三图案得到暴露所述衬底的第一窗口以及显影所述第二图案得到暴露所述第一窗口的第二窗口。

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