河北新华北集成电路有限公司崔朝探获国家专利权
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龙图腾网获悉河北新华北集成电路有限公司申请的专利功率放大器封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117253859B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311239785.3，技术领域涉及：H10W76/17；该发明授权功率放大器封装结构是由崔朝探;杜鹏搏;陈政;张长城设计研发完成，并于2023-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率放大器封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种功率放大器封装结构。该功率放大器封装结构包括：功率放大器芯片、衬底、墙体、传输陶瓷、传输引线和盖板；功率放大器芯片设置于衬底的上表面；墙体围设于功率放大器芯片的四周，且与衬底的上表面连接；墙体的侧表面上，且与衬底的上表面的连接位置处设置多个通孔；传输陶瓷的一端穿过通孔设置于墙体的侧表面的内侧，分别与功率放大器芯片上的对应引脚连接，另一端设置于墙体的侧表面的外侧，且分别对应连接传输引线；盖板设置于墙体上表面；盖板为陶瓷材质。本发明能够有效消除功率放大器的低温自激振荡现象。
本发明授权功率放大器封装结构在权利要求书中公布了：1.一种功率放大器封装结构，其特征在于，包括：功率放大器芯片、衬底、墙体、传输陶瓷、传输引线和盖板； 所述功率放大器芯片设置于所述衬底的上表面； 所述墙体围设于所述功率放大器芯片的四周，且与所述衬底的上表面连接；所述墙体的侧表面上，且与所述衬底的上表面的连接位置处设置多个通孔；所述传输陶瓷的一端穿过通孔设置于所述墙体的侧表面的内侧，分别与所述功率放大器芯片上的对应引脚连接，另一端设置于所述墙体的侧表面的外侧，且分别对应连接所述传输引线； 所述盖板设置于所述墙体上表面；所述盖板的材质为含有Al2O3的陶瓷材质； 所述盖板包含第一盖板和第二盖板； 所述第一盖板设置于所述墙体上表面； 所述第二盖板设置于所述第一盖板的上表面，且所述第二盖板的所有边缘均在所述第一盖板上。
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