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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种单光子雪崩二极管光子探测概率建模预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117010224B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210468263.X，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种单光子雪崩二极管光子探测概率建模预测方法是由刘阳;赵依晗;马瑞;胡进;王夏宇;李栋;朱樟明设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单光子雪崩二极管光子探测概率建模预测方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种单光子雪崩二极管光子探测概率建模预测方法，考虑到死空间距离以及非理想因素边缘效应，输入参数来自TCADSentaurus仿真提取，基于实际制造值和器件布局，无需加入额外拟合参数，计算发生在二维剖面上每点的击穿概率，非常直观易于优化器件结构，之后根据光学仿真数据以及总击穿概率，计算光子探测概率。并且本发明可以在Matlab平台中调用GPU进行并行加速计算，提升计算效率，因此本发明使用建立模型的预测效果和效率都较好。

本发明授权一种单光子雪崩二极管光子探测概率建模预测方法在权利要求书中公布了：1.一种单光子雪崩二极管光子探测概率建模预测方法，其特征在于，包括： 步骤1：获取SPAD的结构、工作电压以及入射光波长； 步骤2：对所述SPAD的结构进行电学仿真获得电学仿真数据，以及进行光学仿真获得光学仿真数据； 其中，所述电学仿真数据包括：电势、电场强度、横向电场强度以及纵向电场强度，所述光学仿真数据包括光学产生； 步骤3：将电学仿真数据以及光学仿真数据进行网格化，得到第一网格以及第二网格； 步骤4：以横向电场强度以及纵向电场强度形成的二维向量数据作为网格数据，在第一网格基础上结合第二网格，生成两根流线； 其中，任一流线上的所有点坐标作为路径坐标矩阵； 步骤5：将每根流线的路径坐标矩阵的坐标值转化为第一网格的网格矩阵中参数的下标，用于对导入的电场、电势和电离率进行索引； 步骤6：以第一流线的下标作为电子运动路径，以第二流线作为空穴运动路径，分别搜索死空间区域；并根据每个运动路径上死空间区域以及非死空间区域的所有点碰撞电离概率密度，计算第二网格所有交界点的电子碰撞电离概率矩阵以及空穴碰撞电离概率矩阵； 步骤7：设置计算精度，针对每个类型的碰撞电离概率矩阵，以每一次计算出的碰撞电离概率矩阵作为一下次的输入，计算出第二网格所有交界点的电子击穿概率组成的击穿概率矩阵； 步骤8：根据电子击穿概率矩阵以及空穴击穿概率矩阵，计算总击穿概率； 步骤9：根据所述光学仿真数据以及总击穿概率，计算光子探测概率。

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