山西东明光伏科技有限公司刘伟获国家专利权
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龙图腾网获悉山西东明光伏科技有限公司申请的专利一种单晶硅片缺陷检测方法、装置、电子设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116912215B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310894768.7，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权一种单晶硅片缺陷检测方法、装置、电子设备及介质是由刘伟设计研发完成，并于2023-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单晶硅片缺陷检测方法、装置、电子设备及介质在说明书摘要公布了：本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及一种单晶硅片缺陷检测方法、装置、电子设备及介质，该方法包括：获取单晶硅片图像，单晶硅片图像中包括多条线痕；对单晶硅片图像进行划分，以得到至少两个子线痕区域；基于每一子线痕区域图像确定对应的线痕密集信息，并基于所有子线痕区域各自对应的线痕密集信息，确定偏离值；判断偏离值是否不大于预设偏离值；若是，则确定单晶硅片不存在线痕缺陷；否则，则确定单晶硅片存在线痕缺陷。本申请有效提高了单晶硅片线痕缺陷检测的准确度。
本发明授权一种单晶硅片缺陷检测方法、装置、电子设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅片缺陷检测方法，其特征在于，包括： 获取单晶硅片图像，所述单晶硅片图像中包括多条线痕； 对所述单晶硅片图像进行划分，以得到至少两个子线痕区域； 基于每一子线痕区域图像确定对应的线痕密集信息，并基于所有子线痕区域各自对应的线痕密集信息，确定偏离值； 判断所述偏离值是否不大于预设偏离值； 若是，则确定所述单晶硅片不存在线痕缺陷；否则，则确定所述单晶硅片存在线痕缺陷； 其中，所述对所述单晶硅片图像进行划分，以得到至少两个子线痕区域，包括： 根据所述单晶硅片图像进行裁剪，得到线痕区域； 对所述线痕区域进行上边界线痕识别，得到上边界线痕对应的位置信息； 基于上边界线痕对应的位置信息按照预设宽度对线痕区域进行划分，得到至少两个子线痕区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山西东明光伏科技有限公司，其通讯地址为：046000 山西省长治市郊区马厂镇安阳村南路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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